田朋飞

作品数：2被引量：1H指数：1
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采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期216-218,共3页齐胜利 陈志忠 潘尧波 郝茂盛 邓俊静 田朋飞 张国义 颜建锋 朱广敏 陈诚 李士涛 
国家自然科学基金(60676032;60406007;60607003;60577030;60876063;60476028);国家"973"重点基础研究项目(TG2007CB307004;2006CB921607)
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB...
关键词：氮化镓 多量子阱 发光二极管 铝镓氮/氮化镓 多量子势垒 外量子效率 
ICP刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响
《半导体技术》2008年第S1期143-146,共4页邓俊静 齐胜利 陈志忠 田朋飞 郝茂盛 张国义 
采用不同条件的等离子体(O2、Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现,经O2...
关键词：感应耦合等离子体 氮空位 蓝带 
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