冉广照

作品数：11被引量：18H指数：1
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发文主题：电致发光光探测器光电器件电极纳米硅更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《北京大学学报（自然科学版）》《光谱学与光谱分析》《物理学报》更多>>
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制备电泵硅基混合激光器的选区金属键合方法
《实验技术与管理》2016年第10期49-54,共6页李艳平 陶利 冉广照 陈娓兮 
国家自然科学基金项目(61404003;11174018);国家基础研究项目(2013CB632105;2013CB921901)资助
为了解决制约硅基光电集成技术发展的硅基激光器等硅基光源的制备问题,提出了一种新颖的选区金属键合方法,解决了传统金属键合方法中光吸收损耗严重的问题,并实现了直接键合方法中的高效率光耦合。该方法具有工艺简单,环境要求低,电、...
关键词：硅基激光 选区金属键合 Ⅲ-Ⅴ族材料 光互连 
有机发光二极管中ADN掺杂ErQ的1.54μm电致发光(英文)
《红外与毫米波学报》2014年第1期31-35,共5页屈海京 陶利 王维 冉广照 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(11174018);the National 863 Project(2012AA012203);National 973 Project(2013CB632105)
自行设计了基于8-羟基喹啉铒(ErQ)为发射层(EMLs)和二硝酰胺铵(ADN)为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为(p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Sm/Au),设计并比较了三套不同发射层结构(ErQ/ADN为双层结构器件,(ErQ/ADN)...
关键词：近红外发光 有机发光二级管 8-羟基喹啉铒 ERBIUM (111) TRIS (8-hydroxyquinoline) 
体硅阳极和薄膜微晶硅阳极聚合物顶发光白光器件
《北京大学学报（自然科学版）》2012年第2期173-176,共4页谷永涛 魏峰 孙拓 徐万劲 冉广照 章勇 牛巧利 秦国刚 
国家自然科学基金(50732001)资助
分别以p型体硅和p型薄膜微晶硅为阳极,以掺入MEH-PPV的PFO为发光层,以透明金属Sm/Au为阴极,制作了顶发光白光器件。器件结构是:硅阳极/PEDOT:PSS/MEH-PPV:PFO/Cs2CO3/Sm/Au。通过调节MEH-PPV在PFO中的质量百分比,改进了白光器件的发射...
关键词：聚合物白光 P型体硅 薄膜微晶硅 MEH-PPV PFO 
Ag纳米颗粒对富Ag二氧化硅薄膜电致发光谱的影响
《光谱学与光谱分析》2011年第9期2324-2327,共4页冉广照 文杰 尤力平 徐万劲 
国家自然科学基金项目(10874011,60877022);国家(973计划)项目(2007CB613401)资助
利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶Ag),制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si,观测到了可见区的电致发光。发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度,还明显地移动电致发光的峰位。Ag...
关键词：电致发光 AG纳米颗粒 局域表面等离激元 
Ni增强Er在富硅氮化硅薄膜中的光致发光被引量：1
《北京大学学报（自然科学版）》2010年第1期12-16,共5页孙凯 徐万劲 冉广照 
国家重点基础研究发展计划项目(2007CB613401);国家自然科学基金(50732001;10574008;10674012;10874001;60877022)资助
采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅(SRN:Er)薄膜和SRN:Er/Ni3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验。SRN:Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750nm的发光带和一个峰位在1.54μm的发光带,前者来源于SRN薄膜中的纳...
关键词：富硅氮化硅 ER NI 光致发光 
硅基掺锰富硅氧化硅薄膜的电致发光
《光谱学与光谱分析》2009年第7期1736-1739,共4页文杰 陈挺 冉广照 
国家自然科学基金项目(10574008;10674012;50732001);国家重点基础研究发展计划"973"计划项目(2007CB613401)资助
硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源,文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n+型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅(SiO2∶Si)薄膜,然后用热扩散法进行了锰(Mn2+)掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄...
关键词：纳米硅 Mn2+ 电致发光 光致发光 
晶态Si_3N_4/非晶SiO_2同轴纳米线的电子显微学研究
《电子显微学报》2005年第4期277-277,共1页尤力平 冉广照 
关键词：SI3N4 电子显微学 SIO2 纳米线 同轴 场发射电子显微镜 非晶 晶态 微观组织结构 
在C_(70)固体p-GaAs结构中的甚深深能级
《物理学报》2004年第10期3498-3503,共6页冉广照 陈源 陈开茅 张晓岚 刘鸿飞 
国家自然科学基金 (批准号 :60 3 760 3 0 )资助的课题~~
发展了恒温电容瞬态数据处理方法 ,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱 (ICTTS) .用ICTTS方法测量分析了C70固体 p GaAs异质结的深能级 ,结果发现在C70 固体中存在两个很深的空穴陷阱 ,H1 和H2 ,它们的能级位置分别为Ev+0 85 6eV和Ev+1 0
关键词：能级 固体 空穴 电容 异质结 发现 时间 瞬态 恒温 陷阱 
SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er^(3+)1.54μm波长的电致发光
《固体电子学研究与进展》2002年第4期492-495,共4页袁放成 冉广照 陈源 戴伦 乔永平 张伯蕊 秦国刚 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金资助 (项目编号 5 983 2 10 0 )
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光...
关键词：铒 富硅氧化硅 电致发光 纳米硅 
纳米硅对掺铒氧化硅电致发光的增强作用被引量：1
《红外与毫米波学报》2002年第z1期69-75,共7页陈源 冉广照 戴 伦 袁放成 秦国刚 马振昌 宗婉华 吴正龙 
国家自然科学基金资助项目
用磁控溅射法在ｎ＋－Ｓｉ衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(ＳｉＯ２:Ｓｉ:Ｅｒ)薄膜,并制备了Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｓｉ:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管,观测到这种发光二极管的１．５４μｍ电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Ａｕ...
关键词：Er3+ 氧化硅 纳米硅 电致发光. 
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