乔永平

作品数：7被引量：21H指数：2
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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：光探测器光电器件电极真空蒸镀有机层更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《数据采集与处理》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒被引量：2
《红外与毫米波学报》2004年第3期176-180,共5页李宇杰 石鹏博 段然 张伯蕊 乔永平 秦国刚 黄兰 
国家自然科学基金重点项目 ( 90 2 0 10 3 7)
首次以ZnS为源 ,采用化学气相沉积法在抛光的Si单晶片衬底上生长晶态的ZnO纳米颗粒 ,其形貌、尺寸和密度都与气体流量、衬底温度、生长时间以及有无催化剂等生长条件密切相关 .在没有Au催化的条件下 ,ZnO颗粒呈圆形颗粒 ,直径多在 30 2...
关键词：化学气相沉积法 硫化锌 光致发光 凝聚态物理 氧化锌纳米颗粒 
SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er^(3+)1.54μm波长的电致发光
《固体电子学研究与进展》2002年第4期492-495,共4页袁放成 冉广照 陈源 戴伦 乔永平 张伯蕊 秦国刚 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金资助 (项目编号 5 983 2 10 0 )
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光...
关键词：铒 富硅氧化硅 电致发光 纳米硅 
磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er^(3+) 1.54μm光致发光被引量：17
《物理学报》2001年第12期2487-2491,共5页袁放成 冉广照 陈源 张伯蕊 乔永平 傅济时 秦国刚 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金 (批准号 :5 983 2 10 0 );集成光电子国家重点实验室基金资助的课题~~
用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er3+ 和氧化硅中某种缺陷 .系统研究了Er3+ 1.5 4μm光致发光峰...
关键词：ER 富Si氧化硅 光致发光 纳米硅 薄膜 铒 富硅氧化硅 磁控溅射 
恒温电容瞬态时间乘积谱
《数据采集与处理》2001年第z1期36-39,共4页陈开茅 陈源 傅济时 张伯蕊 朱美栋 乔永平 孙允希 武兰青 
国家自然科学基金(编号:19774003)资助项目.
传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提...
关键词：电容瞬态 时间 乘积谱 深能级 
固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性
《功能材料与器件学报》2000年第4期436-439,共4页陈开茅 孙文红 武兰青 张伯蕊 吴恩 孙允希 乔永平 
国家自然科学基金!资助项目 ( 19774 0 0 3)
在高真空系统中 ,将C70 膜淀积在 (1 0 0 )晶向n型和p型GaAs衬底上 ,形成固体C70 n GaAs和C70 p GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,它们的整流比分别大于 1 0 6和 1 0 4 ,以及在固定正向偏压下 ,它...
关键词：固体C70 GAAS 界面态 整流性质 空穴陷阱 
硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第7期667-672,共6页王艳兵 孙永科 乔永平 张伯蕊 秦国刚 陈文台 龚义元 吴德馨 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金资助项目
将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950和 1 0 50℃退火后 ,进行电致发光研究 .对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅 .对于离...
关键词：电致发光 二氧化硅 锗 氩离子 离子注入 
零偏退火与反偏退火对含氢的Au／n－Si肖特基势垒的控制
《物理学报》1994年第6期1017-1023,共7页元民华 乔永平 宋海智 金泗轩 秦国刚 
〈１１１〉晶向的掺磷的ｎ型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金，制得Ａｕ／ｎ－Ｓｉ肖特基势垒。实验结果表明：氢能使Ａｕ／ｎ－Ｓｉ的肖特基势垒高度下降０．１３ｅＶ；含氢的肖特基势垒的高度可以被零...
关键词：肖特基势垒 氢 零偏退火 反偏退火 
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