富硅氧化硅

作品数：12被引量：29H指数：3
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相关作者：杨德仁马振昌陈源冉广照袁放成更多>>
相关机构：浙江大学中国科学院湖南共创光伏科技有限公司北京大学更多>>
相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《材料科学与工程学报》《河北大学学报（自然科学版）》更多>>
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掺铒富硅氧化硅发光器件电致发光衰减机制被引量：1
《河北大学学报（自然科学版）》2017年第4期360-363,共4页张慧玉 赵静 郭强 刘海旭 丁文革 
河北省科技计划项目(13214315);河北省高校科学技术研究项目(QN20131115);教育部博士点基金资助项目(20131301120003)
首先采用多靶射频磁控共溅射结合后退火工艺制备了掺Er富硅氧化硅MIS(金属-绝缘体-半导体结构)电致发光器件,然后通过电致发光(EL)以及电流-电压(I-U)特性测量对发光器件的光电性能进行表征.最后,通过对比不同富硅含量的发光器件的载流...
关键词：掺铒富硅氧化硅 电致发光 载流子输运 电荷俘获 
硅含量对SiO_x薄膜光学和电学性能的影响被引量：5
《材料科学与工程学报》2013年第5期651-654,共4页陈乐 谢敏 金璐 王锋 杨德仁 
973资助项目(2013CB632102)
利用射频磁控溅射法通过调节硅(Si)靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅(SiOx,1
关键词：射频磁控溅射 富硅氧化硅 硅纳米晶 光致发光 导电性 
氧化硅中纳米晶硅薄膜的低温沉积及其键合特性研究被引量：2
《人工晶体学报》2013年第6期1035-1040,共6页于威 王建涛 李云 郭少刚 朱海荣 傅广生 
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢气掺入对薄膜微观结构及键合特性的影响。结果表明,氢气流量比的增加导致纳米硅粒子尺寸增加,而生长速率...
关键词：纳米晶硅 富硅氧化硅 低温沉积 微结构 
富硅氧化硅微盘的制备研究
《半导体技术》2010年第9期899-902,共4页陈曜 
广西大学科研基金资助项目(XBZ090951)
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅(SRSO)薄膜材料。喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致发光(PL)效率,并在750 nm波长处达到发光峰值。采用电子束光刻(EBL)及电感耦合反应离子刻蚀(ICP)技术在S...
关键词：富硅氧化硅 光致发光 各向同性 微盘 微加工 
掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质被引量：4
《发光学报》2005年第5期647-650,共4页陈维德 陈长勇 卞留芳 
国家自然科学基金资助项目(60576004)
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅(nc-S i)和非晶纳米硅(a-n-S i)颗粒的基体中。利...
关键词：稀土 离子注入 纳米硅 富硅氧化硅 
离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光
《功能材料与器件学报》2004年第2期151-154,共4页张昌盛 肖海波 王永进 陈志君 程新利 张峰 
国家863计划(No.2001AA312070)
利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶...
关键词：ER 富硅氧化硅 光致发光 温度淬灭 
Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应
《Journal of Semiconductors》2003年第11期1180-1184,共5页于振瑞 杜金会 张加友 李长安 Aceves M 
国家自然科学基金(批准号 :5 0 172 0 61);墨西哥Conacyt资助项目~~
利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电...
关键词：富硅氧化硅 电荷俘获效应 C-V测试 诱导pn结 
SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er^(3+)1.54μm波长的电致发光
《固体电子学研究与进展》2002年第4期492-495,共4页袁放成 冉广照 陈源 戴伦 乔永平 张伯蕊 秦国刚 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金资助 (项目编号 5 983 2 10 0 )
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光...
关键词：铒 富硅氧化硅 电致发光 纳米硅 
铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构被引量：2
《光谱学与光谱分析》2001年第6期758-762,共5页徐飞 肖志松 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 
国家自然科学基金项目 (697660 0 1 );复旦大学应用表面物理国家重点实验室资助
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着S...
关键词：MEVVA离子源 半导体薄膜 铒 光致发光 显微结构 掺杂 SiO2/Si发光薄膜 富硅氧化硅 光谱 
磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er^(3+) 1.54μm光致发光被引量：17
《物理学报》2001年第12期2487-2491,共5页袁放成 冉广照 陈源 张伯蕊 乔永平 傅济时 秦国刚 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金 (批准号 :5 983 2 10 0 );集成光电子国家重点实验室基金资助的课题~~
用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er3+ 和氧化硅中某种缺陷 .系统研究了Er3+ 1.5 4μm光致发光峰...
关键词：ER 富Si氧化硅 光致发光 纳米硅 薄膜 铒 富硅氧化硅 磁控溅射 
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