秦国刚

作品数：62被引量：160H指数：8
导出分析报告
供职机构：北京大学更多>>
发文主题：光致发光多孔硅硅电致发光纳米硅更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
发文期刊：《光谱学与光谱分析》《物理学报》《科技导报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
体硅阳极和薄膜微晶硅阳极聚合物顶发光白光器件
《北京大学学报（自然科学版）》2012年第2期173-176,共4页谷永涛 魏峰 孙拓 徐万劲 冉广照 章勇 牛巧利 秦国刚 
国家自然科学基金(50732001)资助
分别以p型体硅和p型薄膜微晶硅为阳极,以掺入MEH-PPV的PFO为发光层,以透明金属Sm/Au为阴极,制作了顶发光白光器件。器件结构是:硅阳极/PEDOT:PSS/MEH-PPV:PFO/Cs2CO3/Sm/Au。通过调节MEH-PPV在PFO中的质量百分比,改进了白光器件的发射...
关键词：聚合物白光 P型体硅 薄膜微晶硅 MEH-PPV PFO 
单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^＋-Si异质结的紫外电致发光被引量：1
《北京大学学报（自然科学版）》2008年第3期339-342,共4页霍海滨 杨卫全 戴伦 马仁敏 秦国刚 
国家重点基础研究发展计划(2006CB921607);国家自然科学基金(60576037,10574008,60476023)资助项目
采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高...
关键词：电致发光 氧化锌纳米线 硅 异质结 
纳米硅/氧化硅体系光致发光机制被引量：15
《红外与毫米波学报》2005年第3期165-173,共9页秦国刚 
国家自然科学基金项目(90201037)
实际研究的多孔硅几乎都是氧化程度不同的氧化多孔硅,它与另一大类硅基发光材料纳米硅镶嵌氧化硅有相似的结构和发光特徵.两者都是由大量为氧化硅所包裹的纳米硅组成,可统称为纳米硅/氧化硅体系.它是当前研究最多并被普遍认为很有希望...
关键词：纳米硅 氧化硅体系 光致发光 发光机制 半导体 
在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥被引量：1
《物理学报》2005年第9期4329-4333,共5页刘仕锋 秦国刚 尤力平 张纪才 傅竹西 戴伦 
国家自然科学基金(批准号:10374004;90201037;50172001);集成光电子国家重点实验室和国家纳米科学中心资助的课题.~~
在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面...
关键词：GaN 纳米结构 透射电子显微镜 光致荧光谱 化学气相沉积系统 GAN纳米线 生长系统 In 高分辨透射电子显微镜 半导体纳米材料 扫描电子显微镜 技术 X射线衍射仪 
氧化多孔硅和纳米硅粒镶嵌氧化硅光致发光机制模型被引量：11
《南京大学学报（自然科学版）》2005年第1期14-22,共9页秦国刚 李宇杰 
国家自然科学基金 ( 90 2 0 10 3 7)
关于纳米硅 /氧化硅系统的光致发光 (PL)机制 ,有很多争议 .该系统包括氧化多孔硅 (PS)和用化学气相沉积、溅射或硅离子注入氧化硅等方法形成的纳米硅粒 (NSP)镶嵌氧化硅 .提出二种PL竞争机制 :量子限制 (QC)过程和量子限制 -发光中心 (...
关键词：光致发光 纳米硅 氧化硅 
以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒被引量：2
《红外与毫米波学报》2004年第3期176-180,共5页李宇杰 石鹏博 段然 张伯蕊 乔永平 秦国刚 黄兰 
国家自然科学基金重点项目 ( 90 2 0 10 3 7)
首次以ZnS为源 ,采用化学气相沉积法在抛光的Si单晶片衬底上生长晶态的ZnO纳米颗粒 ,其形貌、尺寸和密度都与气体流量、衬底温度、生长时间以及有无催化剂等生长条件密切相关 .在没有Au催化的条件下 ,ZnO颗粒呈圆形颗粒 ,直径多在 30 2...
关键词：化学气相沉积法 硫化锌 光致发光 凝聚态物理 氧化锌纳米颗粒 
纳米硅-氧化硅薄膜的XPS测量被引量：1
《现代科学仪器》2003年第2期28-29,共2页吴正龙 秦国刚 
利用XPS能很好地分辨出硅基纳米硅 氧化硅膜层中的n Si和n SiO2 。对Si2 p峰进行的拟合处理 ,可计算出n Si和n SiO2 的含量 ,其结果与RF 磁控溅射沉积薄膜中所用的复合靶Si和SiO2 的面积比基本一致。
关键词：纳米硅-氧化硅 XPS 磁控溅射 
Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响
《红外与毫米波学报》2002年第5期342-346,共5页张纪才 戴伦 秦国刚 
国家自然科学基金 (批准号 60 0 760 0 3 )资助项目~~
对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子...
关键词：GAN 离子注入 光致发光谱 黄光 
SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er^(3+)1.54μm波长的电致发光
《固体电子学研究与进展》2002年第4期492-495,共4页袁放成 冉广照 陈源 戴伦 乔永平 张伯蕊 秦国刚 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金资助 (项目编号 5 983 2 10 0 )
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光...
关键词：铒 富硅氧化硅 电致发光 纳米硅 
RF磁控溅射技术制备纳米硅被引量：1
《微纳电子技术》2002年第4期22-24,29,共4页马振昌 宗婉华 衡成林 秦国刚 吴正龙 
利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火。利用x射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子。使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研...
关键词：磁控溅射 薄膜 射频 制备 纳米硅 
全选清除导出
共7页<1234567>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部