云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 张纪才

张纪才: 作品数：12被引量：19H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文主题：ALNGAN衬底蓝宝石半导体器件更多>>; 发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《物理学报》《人工晶体学报》《Journal of Semiconductors》《红外与毫米波学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重点基础研究发展计划香港特区政府研究资助局资助项目更多>>

Pr^(3+),Tm^(3+)共注入氮化铝薄膜的光谱特性: 《人工晶体学报》2016年第5期1305-1309,共5页阳明明王晓丹曾雄辉郭昀张纪才徐科; 国家自然科学基金(61306004.51002179;11247023;51272270;61274127;61474133);江苏省自然科学基金(BK20130263;BK2012630);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2012CB619305);中科院引进国外杰出技术人才项目;苏州纳米科技协同创新中心; 采用离子注入的方法在氮化铝薄膜中实现Pr3+和Tm3+元素的单掺杂和共掺杂。以Raman光谱为主要表征手段,对离子注入过程中薄膜内部的应力变化进行研究;以阴极荧光为主要表征手段,对其低温和室温下的发光特性进行研究。Raman光谱的结果显示...; 关键词：氮化铝薄膜 Tm3+ Pr3+ 光谱特性

AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变被引量：3: 《无机材料学报》2016年第3期285-290,共6页阳明明莫亚娟王晓丹曾雄辉刘雪华黄俊张纪才王建峰徐科; 国家自然科学基金(61306004;51002179;11247023;51272270;61274127;61474133);江苏省自然科学基金(BK20130263;BK2012630);国家基础研究计划973项目(2012CB619305);中科院引进国外杰出技术人才项目;苏州纳米科技协同创新中心资金~~; 以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域...; 关键词：AlN:Er 离子注入微观结构演变

在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥被引量：1: 《物理学报》2005年第9期4329-4333,共5页刘仕锋秦国刚尤力平张纪才傅竹西戴伦; 国家自然科学基金(批准号:10374004;90201037;50172001);集成光电子国家重点实验室和国家纳米科学中心资助的课题.~~; 在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面...; 关键词：GaN 纳米结构透射电子显微镜光致荧光谱化学气相沉积系统 GAN纳米线生长系统 In 高分辨透射电子显微镜半导体纳米材料扫描电子显微镜技术 X射线衍射仪

GaN生长速率的研究: 《Journal of Semiconductors》2005年第4期726-729,共4页金瑞琴赵德刚刘建平张纪才杨辉; 采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的...; 关键词：MOCVD GAN 在位监控生长速率

Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate: 《Journal of Semiconductors》2005年第4期645-650,共6页沈晓明王玉田王建峰刘建平张纪才郭立平贾全杰姜晓明胡正飞杨辉梁骏吾; 国家博士后科学基金(批准号:2003034271);国家自然科学基金(批准号:69825107)资助项目~~; GaN buffer layers (thickness ～60nm) grown on GaAs(001) by low-temperature MOCVD are investigated by X-ray diffraction pole figure measurements using synchrotron radiation in order to understand the heteroepitaxial gr...; 关键词：X-ray diffraction metalorganic chemical vapor deposition nitrides

p型GaN的掺杂研究被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2005年第3期508-512,共5页金瑞琴朱建军赵德刚刘建平张纪才杨辉; 采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长，通过较少的实验，优化了影响p型GaN性质的三个生长参数：Mg流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比．过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ／Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型GaN的载流...; 关键词：GAN 掺杂光致发光热退火

AlGaN中的应变状态: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期1-4,共4页张纪才王建峰王玉田杨辉; 国家自然科学基金(批准号:69825107),国家自然科学基金及香港研究资助局联合基金(批准号:5001161953,N-HKU028/00)资助项目; 用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30%,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接...; 关键词：三轴晶X射线衍射 ALGAN 共格因子应变卢瑟福背散射

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期109-112,共4页王建峰张纪才张宝顺伍墨王玉田杨辉梁骏吾; 国家自然科学基金(批准号:69825107),国家自然科学基金及香港研究资助局联合基金(批准号:5001161953,N-HKU028/00)资助项目; 通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13～20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此...; 关键词：GAN ALN SI衬底

In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响被引量：5: 《物理学报》2004年第8期2467-2471,共5页张纪才王建峰王玉田杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 7);国家自然科学基金;香港研究资助局联合基金 (批准号 :5 0 0 116195 3 ;N HKU0 2 8 0 0 )资助的课题~~; 利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN GaN多量子阱结构缺陷 (如位错密度和界面粗糙度 )和光致发光的影响 .通过对 (0 0 0 2 )对称和 (1 0 1 2 )非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描 ,分别测...; 关键词：半导体材料 X射线三轴晶衍射界面粗糙度 INGAN/GAN多量子阱生长参数螺位错刃位错

Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响: 《红外与毫米波学报》2002年第5期342-346,共5页张纪才戴伦秦国刚; 国家自然科学基金 (批准号 60 0 760 0 3 )资助项目~~; 对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子...; 关键词：GAN 离子注入光致发光谱黄光

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