金瑞琴

作品数：6被引量：27H指数：3
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：GANMOCVD肖特基结构响应度紫外探测器更多>>
发文领域：电子电信文化科学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《中国科技期刊研究》更多>>
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期刊编辑和科研人员对量和单位常见问题及其规范使用的认知调查分析被引量：6
《中国科技期刊研究》2021年第9期1148-1157,共10页王紫萱 郑晓梅 王育花 迟美 金瑞琴 李刚 杨晓芳 王萌萌 顾鑫生 
中国科学院自然科学期刊编辑研究会2020年研究课题“科技期刊审读中量和单位常见问题及其规范使用研究”(YJH-WT-003)。
【目的】通过问卷调查的形式了解期刊编辑和科研人员对法定计量单位常见问题及其规范使用的认知情况,提出推广使用法定计量单位的建议和对策,为期刊编辑和科研人员规范使用量和单位提供帮助,也为相关管理部门制定策略和措施提供参考。...
关键词：期刊编辑 科研人员 量和单位 问卷调查 
锐意进取 与时俱进——《半导体学报》办刊实践与体会被引量：1
《中国科技期刊研究》2011年第5期736-738,共3页邓航军 金瑞琴 王琳 
从办刊宗旨、期刊质量、人才培养等几个方面总结了《半导体学报》30多年来的办刊经验,表明要办好期刊,必须明确办刊宗旨,狠抓期刊质量和编辑队伍的建设,同时还须紧跟时代步伐,充分利用现代技术。
关键词：科技期刊 学术质量 半导体 
GaN生长速率的研究
《Journal of Semiconductors》2005年第4期726-729,共4页金瑞琴 赵德刚 刘建平 张纪才 杨辉 
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的...
关键词：MOCVD GAN 在位监控 生长速率 
p型GaN的掺杂研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》2005年第3期508-512,共5页金瑞琴 朱建军 赵德刚 刘建平 张纪才 杨辉 
采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长，通过较少的实验，优化了影响p型GaN性质的三个生长参数：Mg流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比．过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ／Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型GaN的载流...
关键词：GAN 掺杂 光致发光 热退火 
GaN基肖特基结构紫外探测器被引量：14
《Journal of Semiconductors》2004年第6期711-714,共4页王俊 赵德刚 刘宗顺 伍墨 金瑞琴 李娜 段俐宏 张书明 朱建军 杨辉 
国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 1AA3 13 0 5 0 )~~
在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法生长GaN外延层结构 ,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器 .测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线 .该紫外探测器在 5V...
关键词：GAN 肖特基结构 紫外探测器 响应度 
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