p型GaN的掺杂研究  

Investigations on Mg-Doping of p-GaN

作　　者：金瑞琴[1] 朱建军[1] 赵德刚[1] 刘建平[1] 张纪才[1] 杨辉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第3期508-512,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长，通过较少的实验，优化了影响p型GaN性质的三个生长参数：Mg流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比．过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ／Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型GaN的载流子浓度和光学性质的影响．实验结果表明，700～750℃范围为最佳退火温度.The orthogonal design method is employed to optimize the growth parameters of p typed GaN,such as the Mg flux,growth temperature,and Ⅴ/Ⅲ ratio.It is found that the hole concentration is reduced by excessively high Mg flux,high growth temperature,and great Ⅴ/Ⅲ ratio.The influence of the annealing temperature on the hole concentration of p typed GaN is also studied.The optimum annealing temperature is between 700 and 750℃.

关 键 词：GAN 掺杂 光致发光 热退火 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]