Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性  

Influence of Thickness of High Temperature AlN Buffer Grown on Si(111) on GaN Structure Properties

作　　者：王建峰[1,2] 张纪才[1] 张宝顺[1] 伍墨[1] 王玉田[1] 杨辉[1] 梁骏吾[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083 [2]武汉大学物理系,武汉430072

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期109-112,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:69825107),国家自然科学基金及香港研究资助局联合基金(批准号:5001161953,N-HKU028/00)资助项目

摘　　要：通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13～20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此外,SIMS分析表明,当AlN缓冲层位于13～20nm之间时,可有效抑制Si的扩散.

关 键 词：GAN ALN SI衬底 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]