Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响  

EFFECT OF Si ION IMPLANTATION IN GaN AND ITS THERMAL ANNEALING TEMPERATURE ON YELLOW LUMINESCENCE

作　　者：张纪才[1] 戴伦[2] 秦国刚[2] 

机构地区：[1]曲阜师范大学物理系,山东曲阜273165 [2]北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《红外与毫米波学报》2002年第5期342-346,共5页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 60 0 760 0 3 )资助项目~~

摘　　要：对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光 ;而有强黄光的GaN样品经相同处理后 ,其黄光强度较原生样品大大降低 .实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加 ,此外 ,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷 ,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷 ,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强 .The influence of Si ion implantation in GaN and post implantation thermal annealing on yellow luminescence(YL) by using two types of GaN samples with strong YL and without YL were studied. As the thermal annealing temperatures increased, the YL intensity and the intensity ratio of YL to near band edge(BE) emission ( I Y? I BE ) for both types of implanted GaN samples enhanced. After Si ion implantation and post implantation thermal annealing, the YL of the GaN sample with strong YL decreased ma...

关 键 词：GAN 离子注入 光致发光谱 黄光 

分 类 号：TN304.91[电子电信—物理电子学]