AlGaN中的应变状态  

Strain State of AlGaN

作　　者：张纪才[1] 王建峰[1,2] 王玉田[1] 杨辉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083 [2]武汉大学物理系,武汉430072

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期1-4,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:69825107),国家自然科学基金及香港研究资助局联合基金(批准号:5001161953,N-HKU028/00)资助项目

摘　　要：用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30%,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接近0.在本实验条件中,由于GaN层处于压应变状态,导致与AlGaN外延层的失配变小,使得组分约为0.16的AlxGa1-xN外延层可以共格生长在GaN层上.

关 键 词：三轴晶X射线衍射 ALGAN 共格因子 应变 卢瑟福背散射 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]