傅竹西

作品数：69被引量：397H指数：13
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供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文主题：ZNO薄膜氧化锌薄膜ZNO异质结MOCVD更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《半导体杂志》《半导体技术》《硅酸盐学报》《电子元件与材料》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程安徽省自然科学基金中国科学院院长基金更多>>
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衬底取向对Al掺杂3C-SiC薄膜微结构的影响（英文）
《硅酸盐学报》2015年第7期986-990,共5页苏剑峰 肖宏宇 牛强 唐春娟 张永胜 傅竹西 
国家自然科学基金项目(51302128);河南省自然科学基金项目(14B140008;13A140792)
采用低压化学气相沉积(LPCVD)法分别在Si(100)和Si(111)衬底上制备了Al掺杂的3C-Si C薄膜。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、Raman光谱对所制备薄膜的微结构、形貌以及内部应力的演变进行分析。结果表明:在Si(100)衬底上制备的Al掺杂Si ...
关键词：低压化学气相沉积 铝掺杂 碳化硅薄膜 衬底取向 微结构 
MgZnO薄膜的制备及其光电特性
《功能材料》2011年第9期1653-1656,共4页邬小鹏 傅竹西 
国家自然科学基金资助项目(50532070;KJCX3.5YW.W01)
采用射频磁控溅射用x=0.00～0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在Si(100)和石英衬底上生长一系列的MgxZn1-xO薄膜。用XRD、XPS、透射谱和光电导谱对样品进行表征。结果表明用MgxZn1-xO薄膜在x≤0.325时具有单一(002)取向的六方结构,其禁带宽度Eg随...
关键词：MGXZN1-XO XRD XPS 透射谱 光电导谱 
Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究被引量：1
《中国科学技术大学学报》2011年第1期72-75,共4页陈小庆 孙利杰 傅竹西 
国家自然科学基金重点项目(50532070);中国科学院三期创新方向性课题(KJCX3.5YW.W01)资助
采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑(Sb)掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原...
关键词：Sb掺杂 低温PL谱 ZNO A0X 
退火温度对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响
《材料导报》2010年第16期94-96,103,共4页张伟英 刘振中 赵建果 傅竹西 
国家自然科学基金(50532070);中国科学院三期创新项(KJCX3.5YW.W01);洛阳师范学院校基金(2008-PYJJ-009)
采用直流反应溅射法在P-Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,XRD测量表明ZnO为沿c轴高度取向的多晶薄膜,I-V特性曲线表明,ZnO/Si异质结具有明显的整流特性。研究了退火温度对异质结光电转换特性的影响,结果显示,合适的退火温度能显著增大异质...
关键词：ZnO/Si异质结 退火温度 光伏效应 
MOCVD制备SiC:Al薄膜的导电类型调控研究
《功能材料》2010年第7期1271-1273,1277,共4页陈小庆 孙利杰 邬小鹏 钟泽 傅竹西 
国家自然科学基金资助项目(50532070);中国科学院三期创新方向性课题资助项目(KJCX3.5YW.W01)
用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型。用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量。Al含量在1.5%以下,Al原子...
关键词：3C-SIC SiC:Al MOCVD 导电类型 
退火过程对c轴择优取向的ZnO薄膜光学性质的影响被引量：1
《量子电子学报》2010年第2期221-226,共6页谢学武 廖源 张五堂 余庆选 傅竹西 
安徽省自然科学基金(070412034;070414184)资助项目
利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响;通过紫外可见分光光度计和室温发光谱可以看出,制备的薄膜有很好的光学透过性和很强的紫外发光特性,而不同的退...
关键词：材料 溶胶凝胶法 ZNO薄膜 c轴择优取向 退火 
氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响被引量：7
《发光学报》2010年第3期359-363,共5页钟泽 孙利杰 徐小秋 陈小庆 邬小鹏 傅竹西 
国家自然科学基金(50532070);中科院知识创新方向性课题(KJCX35YWW01)资助项目
以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研...
关键词：氧化锌 薄膜 退火 光致发光 MOCVD 
退火处理对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响被引量：1
《材料导报》2010年第4期14-16,共3页张伟英 刘振中 刘照军 梁会琴 傅竹西 
国家自然科学基金(50532070);中国科学院三期创新项目(KJCX3.5YW.W01)
采用直流反应溅射方法在p型Si(100)衬底上生长掺Al的ZnO薄膜,并研究退火处理对ZnO薄膜性质的影响。XRD测量结果表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,退火后薄膜的晶粒长大,晶界减少;暗态I-V特性曲线表明,ZnO/Si异质结具有明显的整流特性,退火...
关键词：退火 异质结 光电转换 
不同衬底材料的ZnO/Si异质结I-V及光电特性被引量：5
《中国科学技术大学学报》2008年第11期1262-1267,共6页刘峥嵘 谢家纯 郭俊福 李雪白 赵朝阳 刘文齐 傅竹西 
国家自然科学基金(50132040);中国科学院知识创新项目(KJCX2-SW-04)资助
采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含Mn0.2%)/Si异质结、包含SiC缓冲层的ZnO/SiC/Si和ZnO(含Mn0.2%)/SiC/Si结构,测试了样品的XRD曲线、I-V特...
关键词：ZNO SiC 脉冲激光沉积 异质结 深能级 
退火温度对掺氮ZnO薄膜结构和光电特性的影响
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1330-1333,共4页钟声 徐小秋 孙利杰 林碧霞 傅竹西 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50532070)~~
采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮ZnO薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(XRD)结果表明,Zn3N2在600℃以上退火即可转变为ZnO:N薄膜.X射线光电子能谱(XPS)发现,在热氧化法制备的ZnO:...
关键词：热氧化 ZnO XPS 受主能级 
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