云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 碳化硅薄膜

碳化硅薄膜: 作品数：77被引量：153H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：张玉明王悦湖胡继超姜礼华肖婷更多>>; 相关机构：中国科学院西安电子科技大学上海华力微电子有限公司中国科学技术大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金安徽省自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>

碳化硅薄膜以创纪录的热导率击败金刚石: 《超硬材料工程》2023年第1期16-16,共1页无; 由大阪都立大学工学研究生院的梁建波副教授和直川直彻教授领导的团队使用热导率评估和原子级分析表明,立方版本3C-SiC表现出相当于理论水平的高导热系数。首先,他们展示了3C-SiC大块晶体,使用来自大阪供应商Air Water Inc的化学物质在...; 关键词：原子级碳化硅薄膜化学物质热导率高导热性导热系数晶体薄膜金刚石

光纤腔耦合碳化硅薄膜的理论计算被引量：1: 《物理学报》2022年第6期42-50,共9页周继阳李强许金时李传锋郭光灿; 国家重点研发计划(批准号:2016YFA0302700);国家自然科学基金(批准号:61725504,U19A2075,61905233,11774335,11821404,11975221);中国科学院前沿科学重点研究项目(批准号:ZDRW-XH-2019-1);安徽量子信息前沿计划(批准号:AHY060300,AHY020100);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:WK2030380017,WK2470000026);中国博士后科学基金(批准号:BX20200326,2021M693099)资助的课题.; 半导体材料中的自旋色心是量子信息处理的理想载体,引起了人们的广泛兴趣.近几年,研究发现碳化硅材料中的双空位、硅空位等色心具有与金刚石中的氮-空位色心相似的性质,而且其荧光处于更有利于光纤传输的红外波段.然而受限于这类色心的...; 关键词：自旋色心光纤腔碳化硅薄膜

基于硅靶和碳化硅靶的碳化硅薄膜磁控溅射工艺对比: 《表面技术》2021年第9期134-140,共7页杨梦熊惠迎雪; 国家重点研发计划-政府间科技创新合作重点专项(2018YFE0199200);西安市科技创新引导项目(201805031YD9CG15);西安市科技计划项目(201805031YD9cG15(6))。; 目的通过基于碳化硅陶瓷靶的直接溅射和基于硅靶与甲烷的反应溅射,在Si(100)基底上沉积碳化硅薄膜,对比两种工艺制备碳化硅薄膜的异同。方法采用直接磁控溅射与反应磁控溅射工艺制备碳化硅薄膜,通过白光干涉仪、轮廓仪、X光电子能谱仪(X...; 关键词：磁控溅射碳化硅沉积速率表面粗糙度反应气体

含硅量子点的碳化硅薄膜制备工艺和微结构表征研究被引量：1: 《武汉轻工大学学报》2019年第3期46-50,62,共6页文国知; 武汉轻工大学校立项目资助(2017y29); 采用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶富硅碳化硅薄膜。通过在高温750℃,900℃,1050℃,和1200℃进行热退火处理,薄膜样品晶化出硅量子点。利用傅立叶红外光谱仪(FTIR)对样品化学键进行了分析。利用X射线衍射(XRD)和拉曼散射光...; 关键词：硅量子点碳化硅微结构化学气相沉积

碳化硅薄膜的力学性能理论研究被引量：1: 《半导体光电》2016年第6期805-808,841,共5页何国堂刘斌戴姜平谢自力韩平张荣王守旭黄旼朱健; 国家重点研发计划项目(2016YFB0400100);国家“863”计划项目(2014AA032605,2015AA033305);国家自然科学基金项目(61605071,61674076,61274003,61422401,51461135002,61334009);江苏省自然科学基金项目(BY2013077,BK20141320,BE2015111);固态照明与节能电子学协同创新中心项目;江苏省重点学科资助计划项目;南京大学扬州光电研究院研发基金项目; 目前,SiC薄膜在极端苛刻环境下的力学性质尚不明确,相关力学参数仍需进一步研究。文章采用模拟软件ANSYS对微尺寸的SiC薄膜在不同条件下的力学性能进行了理论分析。研究了SiC薄膜的面积和厚度对刚度的影响,结果表明,其刚度与薄膜面积成...; 关键词：SIC薄膜 ANSYS数值模拟刚度缺陷温度

碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究被引量：5: 《传感器与微系统》2016年第2期46-48,51,共4页刘雨涛梁庭王涛龙王心心张瑞熊继军; 国家杰出青年科学基金资助项目(51425505); 选用SF6/O2混合气体对等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的碳化硅(Si C)薄膜进行了浅槽刻蚀,并通过正交试验设计方法,研究了感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术中反应室压强、偏压射频(BRF)功率、O2比例三个工艺参数对碳化硅薄膜刻蚀...; 关键词：碳化硅薄膜感应耦合等离子体刻蚀正交试验刻蚀速率

衬底取向对Al掺杂3C-SiC薄膜微结构的影响（英文）: 《硅酸盐学报》2015年第7期986-990,共5页苏剑峰肖宏宇牛强唐春娟张永胜傅竹西; 国家自然科学基金项目(51302128);河南省自然科学基金项目(14B140008;13A140792); 采用低压化学气相沉积(LPCVD)法分别在Si(100)和Si(111)衬底上制备了Al掺杂的3C-Si C薄膜。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、Raman光谱对所制备薄膜的微结构、形貌以及内部应力的演变进行分析。结果表明:在Si(100)衬底上制备的Al掺杂Si ...; 关键词：低压化学气相沉积铝掺杂碳化硅薄膜衬底取向微结构

碳化硅薄膜在低辐射镀膜玻璃中的应用: 《建筑玻璃与工业玻璃》2015年第4期16-18,共3页刘伟宋宇童帅; 本文简述目前碳化硅材料在镀膜领域尤其是低辐射膜层（Low—E）部分的应用，碳化硅膜层的特性，目前使用过程中存在的问题，提出解决办法及思路。; 关键词：低辐射镀膜玻璃碳化硅薄膜应用碳化硅材料膜层

CVD碳化硅薄膜对炭纤维表面结构和性能的影响: 《炭素技术》2014年第2期13-15,29,共4页徐先锋洪龙龙肖鹏; 国家自然科学基金资助项目(51165006); 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为碳化硅源,采用化学气相沉积(CVD)的方法,在去胶炭纤维表面沉积一层碳化硅薄膜。采用SEM及N2等温吸附观察的方法,分析了薄膜处理对炭纤维表面结构的影响。结果表明:CVD碳化硅薄膜能够修复炭纤维表面的微...; 关键词：炭纤维化学气相沉积碳化硅薄膜 N2等温吸附

CVD制备3C-SiC及其应用于MEMS的研究进展被引量：2: 《材料导报》2012年第21期13-16,29,共5页严春雷刘荣军曹英斌张长瑞张德坷; 国家自然科学基金(51102282); 高温、强振、强腐蚀、高湿等恶劣环境中的监测和控制系统对MEMS(Microelectromechanical systems)提出了新的挑战。SiC具有化学惰性,高热导率及优良的力学、电学、高温性能,在MEMS技术中备受青睐,成为Si-MEMS体系极具竞争力的替代材料...; 关键词：立方相碳化硅薄膜化学气相沉积力学性能电学性能 MEMS器件

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