钟声

作品数：7被引量：21H指数：2
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供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文主题：ZNO薄膜ZNOAG掺杂P型ZNO薄膜光电性质更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《中国科学技术大学学报》《低温物理学报》《发光学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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退火温度对掺氮ZnO薄膜结构和光电特性的影响
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1330-1333,共4页钟声 徐小秋 孙利杰 林碧霞 傅竹西 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50532070)~~
采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮ZnO薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(XRD)结果表明,Zn3N2在600℃以上退火即可转变为ZnO:N薄膜.X射线光电子能谱(XPS)发现,在热氧化法制备的ZnO:...
关键词：热氧化 ZnO XPS 受主能级 
CVD法制备ZnO薄膜生长取向和表面形貌被引量：7
《发光学报》2008年第2期294-298,共5页田珂 施媛媛 徐小秋 钟声 傅竹西 
国家自然科学基金资助项目(50532070;50472009;10474091)
利用具有特定温度梯度的CVD设备,以锌粉和氧气为原料,在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜。研究发现,锌粉中加入某些氯化物后可以改变ZnO薄膜的生长取向。用FESEM观察ZnO薄膜的表面形貌,发现Zn和氯化物的量比为1∶1时,生长的ZnO薄膜表面晶粒...
关键词：CVD ZNO薄膜 生长取向 生长机理 
Ag掺杂p型ZnO薄膜及其同质结的光电性质被引量：9
《发光学报》2008年第2期304-308,共5页孙利杰 钟声 张伟英 王筝 林碧霞 傅竹西 
国家自然科学基金资助项目(50532070;50472009;10474091)
采用磁控溅射技术在Si基片上生长了Ag掺杂的ZnO薄膜,XRD测试表明所得薄膜结晶性质良好,未出现Ag的分相。未掺杂和Ag掺杂氧化锌薄膜的低温(10K)光致发光(PL)谱显示:Ag的掺入使得中性施主束缚激子发射(D0X)显著减弱,并且在3.315eV处观测...
关键词：Ag掺杂氧化锌 低温PI.潜 施主-受主对 同质结 
Au/n-ZnO/p-SiC紫外探测器的研制和特性分析被引量：1
《中国科学技术大学学报》2007年第11期1399-1402,共4页何广宏 谢家纯 郭俊福 李雪白 钟声 林碧霞 傅竹西 
国家自然基金重点项目(50532070);国家自然基金(50472009;10474091)资助.
采用宽禁带半导体n-ZnO和金属Au作肖特基接触,n-ZnO和同为宽禁带半导体p-SiC形成异质结,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外探测器.测试分析了该器件的光谱响应特性,响应范围为200～400nm,在室温和一定反...
关键词：宽禁带 氧化锌 碳化硅 肖特基 异质结 光谱响应 紫外探测 
样品制备过程中不同冷却速率对Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_(4±δ)单晶正常态和超导态输运性质的影响被引量：2
《低温物理学报》2006年第4期325-329,共5页陈旭东 杨宏顺 柴一晟 刘剑 钟声 孙成海 高慧贤 薛璟 段理 曹烈兆 
国家自然科学基金(批准号:10374082)资助的课题.~~
通过原子力显微镜(AFM)对Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_(4±δ)(NCCO)单晶样品的微结构进行分析,发现样品在制备和热处理过程中存在分解反应Nd2-xCexCuO4→(Nd,Ce)2O3+NdCeO3.5+Cu2O发生的证据,控制样品冷却速率可得到(Nd,Ce)2O3分解物含量不...
关键词：电子型超导体 样品制备 电阻率 
RF预处理对ZnO/Si生长的影响
《人工晶体学报》2006年第1期91-94,共4页姚然 朱俊杰 钟声 朱拉拉 傅竹西 
国家基金委(No.90201038No.50472009No.10474091)资助项目;中国科学院知识创新方向性课题的子课题(KJCX2-SW-04-02)
氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙的宽禁带半导体材料，其室温下的禁带宽度3．36eV，由于其具有紫外发光的特性，近来受到研究者的广泛关注。由于ZnO在高效率光散发设备和其它光学方面有应用前景，所以要进行高质量的ZnO薄膜制备的研究。由...
关键词：ZNO MOCVD 预处理 
热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响被引量：2
《发光学报》2004年第2期151-155,共5页刘磁辉 林碧霞 王晓平 朱俊杰 钟声 傅竹西 
国家自然科学基金重大研究计划重点课题(90201038)
利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸大小较为均匀,尺寸约为50 nm。当经高温退火后,ZnO薄膜的晶...
关键词：氧化锌薄膜材料 热退火 原子力显微镜 椭偏测量 半导体材料 椭偏参数 薄膜结构 
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