朱拉拉

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文主题：MOCVD氧化锌缓冲层ZNO预处理更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》更多>>
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直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜被引量：2
《人工晶体学报》2006年第1期135-138,共4页姚然 朱俊杰 段理 朱拉拉 傅竹西 
国家自然科学基金资助项目(No.90201038No.50472009No.10474091)
ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势。在相对成本低廉的S i衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题。目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破。本文利用直流溅射,先在S i衬底上溅射一层ZnO多晶...
关键词：氧化锌 直流溅射 MOCVD 缓冲层 
RF预处理对ZnO/Si生长的影响
《人工晶体学报》2006年第1期91-94,共4页姚然 朱俊杰 钟声 朱拉拉 傅竹西 
国家基金委(No.90201038No.50472009No.10474091)资助项目;中国科学院知识创新方向性课题的子课题(KJCX2-SW-04-02)
氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙的宽禁带半导体材料，其室温下的禁带宽度3．36eV，由于其具有紫外发光的特性，近来受到研究者的广泛关注。由于ZnO在高效率光散发设备和其它光学方面有应用前景，所以要进行高质量的ZnO薄膜制备的研究。由...
关键词：ZNO MOCVD 预处理 
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