何广宏

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学技术大学更多>>
发文主题：AU光谱响应紫外探测器紫外探测宽禁带更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《中国科学技术大学学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
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Au/n-ZnO/p-SiC紫外探测器的研制和特性分析被引量：1
《中国科学技术大学学报》2007年第11期1399-1402,共4页何广宏 谢家纯 郭俊福 李雪白 钟声 林碧霞 傅竹西 
国家自然基金重点项目(50532070);国家自然基金(50472009;10474091)资助.
采用宽禁带半导体n-ZnO和金属Au作肖特基接触,n-ZnO和同为宽禁带半导体p-SiC形成异质结,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外探测器.测试分析了该器件的光谱响应特性,响应范围为200～400nm,在室温和一定反...
关键词：宽禁带 氧化锌 碳化硅 肖特基 异质结 光谱响应 紫外探测 
Study and Fabrication of a Au/n-ZnO/p-Si Structure UV-Enhanced Phototransistor被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第1期5-8,共4页郭俊福 谢家纯 段理 何广宏 林碧霞 傅竹西 
国家自然科学基金重大研究计划(批准号:90201038);中国科学院知识创新工程(批准号:KJCX2-SW-04-02)资助项目~~
The fabrication and characterization of a Schottky-emitter heterojunction-collector UV-enhanced bipolar phototransistor （SHBT） are presented. The luminescence peak of the ZnO film is observed at 371nm in the PL spec...
关键词：SCHOTTKY HETEROJUNCTION WBG semiconductor ZnO UV phototransistor 
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