陈源

作品数：6被引量：19H指数：2
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供职机构：北京大学物理学院更多>>
发文主题：纳米硅电致发光SIER铒更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《数据采集与处理》《物理学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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在C_(70)固体p-GaAs结构中的甚深深能级
《物理学报》2004年第10期3498-3503,共6页冉广照 陈源 陈开茅 张晓岚 刘鸿飞 
国家自然科学基金 (批准号 :60 3 760 3 0 )资助的课题~~
发展了恒温电容瞬态数据处理方法 ,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱 (ICTTS) .用ICTTS方法测量分析了C70固体 p GaAs异质结的深能级 ,结果发现在C70 固体中存在两个很深的空穴陷阱 ,H1 和H2 ,它们的能级位置分别为Ev+0 85 6eV和Ev+1 0
关键词：能级 固体 空穴 电容 异质结 发现 时间 瞬态 恒温 陷阱 
SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er^(3+)1.54μm波长的电致发光
《固体电子学研究与进展》2002年第4期492-495,共4页袁放成 冉广照 陈源 戴伦 乔永平 张伯蕊 秦国刚 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金资助 (项目编号 5 983 2 10 0 )
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光...
关键词：铒 富硅氧化硅 电致发光 纳米硅 
纳米硅对掺铒氧化硅电致发光的增强作用被引量：1
《红外与毫米波学报》2002年第z1期69-75,共7页陈源 冉广照 戴 伦 袁放成 秦国刚 马振昌 宗婉华 吴正龙 
国家自然科学基金资助项目
用磁控溅射法在ｎ＋－Ｓｉ衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(ＳｉＯ２:Ｓｉ:Ｅｒ)薄膜,并制备了Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｓｉ:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管,观测到这种发光二极管的１．５４μｍ电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Ａｕ...
关键词：Er3+ 氧化硅 纳米硅 电致发光. 
磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er^(3+) 1.54μm光致发光被引量：17
《物理学报》2001年第12期2487-2491,共5页袁放成 冉广照 陈源 张伯蕊 乔永平 傅济时 秦国刚 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金 (批准号 :5 983 2 10 0 );集成光电子国家重点实验室基金资助的课题~~
用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er3+ 和氧化硅中某种缺陷 .系统研究了Er3+ 1.5 4μm光致发光峰...
关键词：ER 富Si氧化硅 光致发光 纳米硅 薄膜 铒 富硅氧化硅 磁控溅射 
在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第2期161-165,共5页王孙涛 陈源 张伯蕊 乔永萍 秦国刚 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金资助项目! (No.5 983 2 10 0 )&&
利用射频磁控溅射方法 ,制成纳米 Si O2 层厚度一定而纳米 Si层厚度不同的纳米 (Si O2 / Si/ Si O2 ) / p- Si结构和纳米 (Si O2 ∶ Al/ Si/ Si O2 ∶ Al) / p- Si结构 ,用磁控溅射制备纳米 Si O2 ∶ Al时所用的 Si O2 / Al复合靶中的 A...
关键词：电致发光 纳米硅 二氧化硅 铝掺杂 
恒温电容瞬态时间乘积谱
《数据采集与处理》2001年第z1期36-39,共4页陈开茅 陈源 傅济时 张伯蕊 朱美栋 乔永平 孙允希 武兰青 
国家自然科学基金(编号:19774003)资助项目.
传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提...
关键词：电容瞬态 时间 乘积谱 深能级 
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