恒温电容瞬态时间乘积谱  

Isothermal Capacitance Transience-Time Spectroscopy

作　　者：陈开茅[1] 陈源[1] 傅济时[1] 张伯蕊[1] 朱美栋[1] 乔永平[1] 孙允希[1] 武兰青[1] 

机构地区：[1]北京大学物理系,北京,100871 北京大学物理系,北京,100871 北京大学物理系,北京,100871 北京大学物理系,北京,100871 北京大学物理系,北京,100871 北京大学物理系,北京,100871 北京大学物理系,北京,100871 北京大学物理系,北京,100871

出　　处：《数据采集与处理》2001年第z1期36-39,共4页Journal of Data Acquisition and Processing

基　　金：国家自然科学基金(编号:19774003)资助项目.

摘　　要：传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C70固体/p-GaAs结构的深能级,结果发现C70固体膜中存在两个空穴陷阱,H1和H2,它们的能级分别为Ev+1.037eV和Ev+0.856eV,密度分别为8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2.

关 键 词：电容瞬态 时间 乘积谱 深能级 

分 类 号：TM834.2[电气工程—高电压与绝缘技术] O482.4[理学—固体物理]