武兰青

作品数：9被引量：6H指数：2
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供职机构：北京大学物理学院更多>>
发文主题：界面态深能级SIO碳硅更多>>
发文领域：理学电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《数据采集与处理》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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C_(70)/GaAs异质结的电学性质被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第8期985-991,共7页陈开茅 孙文红 吴克 武兰青 周锡煌 顾镇南 刘鸿飞 
国家自然科学基金资助项目
在高真空系统中 ,将 C70 膜淀积在 n-和 p- Ga As(10 0 )衬底上 ,制成 C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As两种接触 ,并对它们的电学性质作了研究 .结果发现两种接触均为强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As接触...
关键词：光电性质 砷化镓 碳 异质结构 
恒温电容瞬态时间乘积谱
《数据采集与处理》2001年第z1期36-39,共4页陈开茅 陈源 傅济时 张伯蕊 朱美栋 乔永平 孙允希 武兰青 
国家自然科学基金(编号:19774003)资助项目.
传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提...
关键词：电容瞬态 时间 乘积谱 深能级 
固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性
《功能材料与器件学报》2000年第4期436-439,共4页陈开茅 孙文红 武兰青 张伯蕊 吴恩 孙允希 乔永平 
国家自然科学基金!资助项目 ( 19774 0 0 3)
在高真空系统中 ,将C70 膜淀积在 (1 0 0 )晶向n型和p型GaAs衬底上 ,形成固体C70 n GaAs和C70 p GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,它们的整流比分别大于 1 0 6和 1 0 4 ,以及在固定正向偏压下 ,它...
关键词：固体C70 GAAS 界面态 整流性质 空穴陷阱 
固体C_(70)/Si异质结的界面电子态被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第4期333-339,共7页陈开茅 孙文红 吴克 武兰青 周锡煌 顾镇南 卢殿通 
国家自然科学基金
用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si...
关键词：异质结 界面电子态 碳 硅 
Si／SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布被引量：3
《Journal of Semiconductors》1994年第5期295-303,共9页陈开茅 毛晋昌 武兰青 元民华 金泗轩 刘鸿飞 
国家自然科学基金
本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法［１］，测量了ＭＯＳ结构Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的俘获截面，并利用这些结果将界面态的ＤＬＴＳ谱反演成界面态的能量分布．结果表明：界面态的电子俘获截面强烈地依赖...
关键词：界面态 硅 二氧化硅 能量分布 
注硅半绝缘GaAs的深能级
《物理学报》1993年第8期1304-1310,共7页邱素娟 陈开茅 武兰青 
国家自然科学基金
用深能级瞬态谱(DLTS)详细研究了硅离子注入Liquid-encapsulated Czochralski(缩写为LEC)半绝缘GaAs的深中心。结果表明,在注硅并经高温退火的有源区中观测到4个多子(电子)陷阱,E_(01),E_(02),E_(03)和E_(04)。它们的电子表观激活能分别...
关键词：砷化镓 离子注入 深能级 缺陷 
在p型硅MOS结构Si/SiO_2界面区中与金有关的界面态和深能级
《物理学报》1993年第8期1324-1332,共9页陈开茅 金泗轩 武兰青 曾树荣 刘鸿飞 
国家自然科学基金
用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了金在p型<111>晶向硅MOS结构Si/SiO_2界面区中的行为。结果表明,金与Si/SiO_2界面缺陷H_(it)(0.494)相互作用形成新的缺陷Au-H_(it)(0.445),和金在硅的禁带中产生一个能量分布很广的连续界面态,利用...
关键词：硅 MOS系统 界面态 深能级 金 
用新方法测量Si-SiO_2界面态电子俘获截面与温度及能量的关系被引量：1
《中国科学（A辑）》1993年第2期144-152,共9页陈开茅 武兰青 许惠英 刘鸿飞 
国家自然科学基金
本文提出了一个利用载流子填充电容瞬态初始时间变化率,准确测量在绝缘体与半导体界面上的界面态俘获截面的方法,其中考虑了电荷势反馈效应对载流子填充过程的影响,并给出准确计算这种影响的简单方法.将这一方法用于测量n型硅MOS电容器...
关键词：界面态 硅 氧化硅 电子俘获截面 
p型硅MOS结构Si/SiO_2界面及其附近的深能级与界面态被引量：1
《物理学报》1992年第11期1870-1879,共10页陈开茅 武兰青 彭清智 刘鸿飞 
国家自然科学基金
用深能级瞬态谱(DLTS)技术系统研究了Si/SiO_2界面附近的深能级和界面态。结果表明,在热氧化形成的Si/SiO_2界面及其附近经常存在一个浓度很高的深能级,它具有若干有趣的特殊性质,例如它的DLTS峰高度强烈地依赖于温度,以及当栅偏压使费...
关键词：硅 界面 能级 界面态 MOS系统 
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