用新方法测量Si-SiO_2界面态电子俘获截面与温度及能量的关系  

作　　者：陈开茅[1] 武兰青[1] 许惠英 刘鸿飞[2] 

机构地区：[1]北京大学物理系,北京100871 [2]北京有色金属研究总院,北京100088

出　　处：《中国科学（A辑）》1993年第2期144-152,共9页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文提出了一个利用载流子填充电容瞬态初始时间变化率,准确测量在绝缘体与半导体界面上的界面态俘获截面的方法,其中考虑了电荷势反馈效应对载流子填充过程的影响,并给出准确计算这种影响的简单方法.将这一方法用于测量n型硅MOS电容器中的Si-SiO_2界面态.结果表明其电子俘获截面强烈地依赖于温度和能量.

关 键 词：界面态 硅 氧化硅 电子俘获截面 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]