金泗轩

作品数：20被引量：11H指数：3
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供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文主题：砷化镓C_异质结GAN碳60更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体光电》《红外与毫米波学报》《物理学报》《物理》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家教委资助优秀年轻教师基金国家高技术研究发展计划更多>>
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蓝光LED InGaN有源区的制备及其发光特性研究被引量：1
《光电子．激光》2000年第2期117-119,共3页童玉珍 李非 杨志坚 金泗轩 丁晓民 张国义 
国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学基金资助项目 !( 6978960 1)
本文报导了运用 L P- MOCVD制备蓝光 L ED In Ga N有源区的最近进展 ,以及高温生长技术带来的优越性。通过对 Zn掺杂 In Ga N薄膜发光特性的分析 ,发现其光致荧光 (PL )谱中 ,与 Zn掺杂有关的发光峰的强度受该生长温度下 Zn在 In Ga N...
关键词：InGaN有源区 发光性质 发光二极管 蓝光 
快速退火Mg∶GaN的光致发光研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第10期857-861,共5页毛祥军 杨志坚 金泗轩 童玉珍 王晶晶 李非 张国义 
国家自然科学基金
本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨...
关键词：快速退火 光致发光 镁 氮化镓 
固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态被引量：3
《Journal of Semiconductors》1998年第9期650-655,共6页陈开茅 陈莹 张亚雄 金泗轩 吴克 李传义 顾镇南 周锡煌 刘鸿飞 
国家教委优秀年轻教师基金;国家自然科学基金
我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温...
关键词：碳60 砷化镓 异质结 整流特性 界面电子态 
低压MOCVD生长GaN p-n结蓝光LED
《物理》1997年第6期321-322,共2页张国义 杨志坚 金泗轩 党小忠 
简要报道了采用一种改进的低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性．这种ＬＥＤ具有良好的ＩＶ特性和光谱特性．室温下，在正向电压５Ｖ，正向电...
关键词：氮化镓 蓝光 LED MOCVD I-V特性 光谱特性 
固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质被引量：4
《Journal of Semiconductors》1997年第1期70-75,共6页陈开茅 张亚雄 秦国刚 金泗轩 吴克 李传义 顾镇南 周锡煌 
国家自然科学基金;国家教委优秀年轻教师基金
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流-温度测量表明，在固定正向偏压下，其电流是温度的指数函数，从中可以确定接触的有效势垒高度为1...
关键词：固体 碳60 砷化镓 N型 接触电学性质 
低压MOVPE外延生长GaN膜的光致发光激发谱研究
《Journal of Semiconductors》1996年第8期637-640,共4页段家 张伯蕊 秦国刚 张国义 童玉珍 金泗轩 杨志坚 姚光庆 
对用低压ＭＯＶＰＥ法生长的非掺ＧａＮ外延膜，在其光致发光谱峰位３７０ｍｍ、５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近测量了光致发光激发（ＰＬＥ）谱．对于５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近的发光来说，各样品的ＰＬＥ峰都位于３６０ｕｍ处，而对于...
关键词：低压 MOVPE 外延生长 GaN膜 光致发光 激发谱 
LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜
《半导体光电》1996年第2期147-150,共4页童玉珍 张国义 徐自亮 党小忠 杨志坚 金泗轩 刘弘度 王舒民 
国家自然科学基金
报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射...
关键词：半导体薄膜 金属有机物 化学汽相淀积 外延生长 
注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿
《物理学报》1996年第3期491-498,共8页陈开茅 金泗轩 贾勇强 邱素娟 吕云安 何梅芬 刘鸿飞 
国家自然科学基金
详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×10^(13)cm^(-2)的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E_1(0.111),E_2(0.234),E_3(0.415),E_4(0.6...
关键词：砷化镓 注氮 深能级 载流子 
MOCVD生长GaN的喇曼散射谱被引量：1
《红外与毫米波学报》1996年第1期6-10,共5页童玉珍 张国义 徐自亮 党小忠 王晶晶 金泗轩 王舒民 刘弘度 
对在ＧａＡｓ（００１）、Ａｌ２Ｏ３（０００１）和Ｓｉ（１１１）等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到了α相ＧａＮ的Ａ１（ＬＯ）模、Ａ１（ＴＯ）模、Ｅ１（ＬＯ）模和...
关键词：喇曼散射 MOCVD 氮化镓 砷化镓 薄膜 
固体C_(60)/Si异质结的电学表征——整流特性、能带模型与温偏效应
《物理学报》1996年第2期265-273,共9页陈开茅 贾勇强 金泗轩 吴克 李传义 顾镇南 周锡煌 
国家自然科学基金资助的课题
研究了非掺杂固体C_(60)与n-Si和与p-Si接触的电学性质,电流-电压(J-V)特性测量表明两种接触的导电极性相反,且都具有很强的整流作用,表明在两种接触界面附近存在着阻挡载流子输运的、性质不同的势垒.电流-温度(J-T)测量表明,电流与温...
关键词：碳60 硅 异质结 电学性质 能带 整流 
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