云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 化学汽相淀积

化学汽相淀积: 作品数：84被引量：48H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃张鹤鸣王斌宣荣喜宋建军更多>>; 相关机构：株式会社半导体能源研究所国际商业机器公司西安电子科技大学日本电气株式会社更多>>; 相关期刊：《半导体杂志》《微处理机》《薄膜科学与技术》《微电子学》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科委纳米专项基金高等学校骨干教师资助计划更多>>

HFCVD法制备SiC薄膜的研究: 《科学技术创新》2018年第32期24-25,共2页黄灿灿李家贵惠东; 用热丝化学汽相淀积法以硅烷、甲烷、氢气为源气,在低温下沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜。用XRD法对生成的SiC薄膜进行分析检测。实验表明在钨丝温度为1900℃,钨丝到衬底的距离为0.8cm时可生成优质的SiC薄膜。; 关键词：热丝化学汽相淀积法(HFCVD) 碳化硅薄膜

化学汽相淀积装置及其净化方法和半导体制造装置: 《表面技术》2007年第1期89-89,共1页; 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜...; 关键词：制造装置净化方法半导体化学汽相淀积腐蚀性气体净化处理惰性气体气体处理

AFRL开发出首只GaN/金刚石HEMT: 《半导体信息》2006年第6期24-25,共2页陈裕权; 关键词：GAN AFRL HEMT 外延层外延结构输出功率 MOCVD 欧姆接触化学汽相淀积功率密度

Magnetic and mechanical properties of FeSi alloys with high Si content被引量：2: 《中国有色金属学会会刊：英文版》2006年第A02期81-84,共4页卢风双乔梁毕晓昉; 关键词：铁硅合金化学汽相淀积硅含量扩散磁学性质力学性质

世界上首块GaN/金刚石晶片: 《半导体信息》2006年第4期32-33,共2页陈裕权; 关键词：GAN 化学汽相淀积原子级新型半导体有源区微波毫米波白光照明外延生长军事用途功率密度

Ellipsometric analysis and optical absorption characterization of nano-crystalline diamond film: 《中国有色金属学会会刊：英文版》2006年第B01期289-292,共4页王林军蒋丽雯任玲刘健敏苏青峰徐闰彭鸿雁史伟民夏义本; Project(60577040) supported by the National Natural Science Foundation of China; Project(0404) supported by Shanghai Foundation of Applied Materials Research and Development; Projects(0452nm051, 05nm05046) supported by the Nano-technology Project of Shanghai; Project(T0101) supported by Shanghai Leading Academic Disciplines; A nano-crystalline diamond (NCD) film with a smooth surface was successfully deposited on silicon by a hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) method. Scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy...; 关键词：纳米晶金刚石膜椭圆偏光分析光学吸收特性化学汽相淀积

Preparation of free-standing diamond films for high frequency SAW devices: 《中国有色金属学会会刊：英文版》2006年第B01期298-301,共4页刘健敏夏义本王林军苏青峰赵平徐闰彭鸿雁史伟民; Projects(60577040) supported by the National Natural Science Foundation of China; Project(0404) supported by the Shanghai Foundation of Applied Materials Research and Development; Projects(0452nm051, 05nm05046) supported by the Nano-technology Project of Shanghai; Project(T0101) supported by the Shanghai Leading Academic Disciplines; Free-standing diamond films were prepared by hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) method under different conditions. Inter-digital transducers (IDTs) were formed on the nucleation sides of free-standing diam...; 关键词：自立金刚石膜化学汽相淀积 HFCVD 高频声表面波器件 ZNO

TEL推出等离子增强型批处理热CVD系统: 《电子工业专用设备》2005年第8期81-81,共1页; 设在德州奥斯汀的TEL美国总部日前推出用于先进薄膜淀积的IRad，一种300mm等离子增强批处理热化学汽相淀积（CVD）系统。IRad系统是基于全面的经生产验证的TEL FORMULATM装料尺寸可变的反应器设计基础之上开发研制出的。; 关键词：等离子增强 ad系统批处理推出 CVD 增强型化学汽相淀积 300mm 薄膜淀积

金刚石微波器件可能超过GaN、SiC器件: 《半导体信息》2005年第4期21-21,共1页陈裕权; 英国阿斯科特的Element Six公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着。; 关键词：GAN SIC器件微波器件德国乌尔姆大学化学汽相淀积 MESFET 器件技术前期性斯科特相控阵雷达

高温超导导线制造工艺实现了当今最高的性能: 《今日电子》2005年第6期26-26,共1页Ralph C.Raiola; 关键词：高温超导导线制造工艺化学汽相淀积美国纽约州电流性能超导器件超导材料工艺制造金属有机固有特性子公司开发商商品化 HTS 准低温

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