张亚雄

作品数：3被引量：7H指数：3
导出分析报告
供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文主题：碳60砷化镓C_N型整流特性更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《物理学报》更多>>
所获基金：国家教委资助优秀年轻教师基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态被引量：3
《Journal of Semiconductors》1998年第9期650-655,共6页陈开茅 陈莹 张亚雄 金泗轩 吴克 李传义 顾镇南 周锡煌 刘鸿飞 
国家教委优秀年轻教师基金;国家自然科学基金
我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温...
关键词：碳60 砷化镓 异质结 整流特性 界面电子态 
n^+-Si与p-Si衬底上含纳米硅的SiO_2膜电致发光被引量：3
《物理学报》1997年第5期1011-1014,共4页张亚雄 李安平 陈开茅 张伯蕊 孙允希 秦国刚 马振昌 宗婉华 
对于Ａｕ／富ＳｉＳｉＯ２／ｐＳｉ和Ａｕ／富ＳｉＳｉＯ２／ｎ＋Ｓｉ这两种结构，研究并比较了它们的电致发光特性．对于前者，当正向偏压大于４Ｖ时发射红光，而加反向偏压时不发光；对于后者，加正向偏压不发光，而当反向偏...
关键词：多孔硅 纳米硅 光致发光 二氧化硅 
固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质被引量：4
《Journal of Semiconductors》1997年第1期70-75,共6页陈开茅 张亚雄 秦国刚 金泗轩 吴克 李传义 顾镇南 周锡煌 
国家自然科学基金;国家教委优秀年轻教师基金
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流-温度测量表明，在固定正向偏压下，其电流是温度的指数函数，从中可以确定接触的有效势垒高度为1...
关键词：固体 碳60 砷化镓 N型 接触电学性质 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部