毛祥军

作品数：3被引量：13H指数：1
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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：氮化镓衬底ALZNOGAN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《高技术通讯》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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快速退火Mg∶GaN的光致发光研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第10期857-861,共5页毛祥军 杨志坚 金泗轩 童玉珍 王晶晶 李非 张国义 
国家自然科学基金
本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨...
关键词：快速退火 光致发光 镁 氮化镓 
用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性被引量：11
《Journal of Semiconductors》1999年第8期639-643,共5页毛祥军 杨志坚 李景 屈建勤 张国义 
国家自然科学基金
本文报道利用直流反应磁控溅射技术在 Ａｌ２ Ｏ３ 上生长一层 Ｚｎ Ｏ，再用 Ｌ Ｐ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 在 Ｚｎ Ｏ／ Ａｌ２ Ｏ３ 衬底上生长 Ｇａ Ｎ．实验发现低温生长 Ｃａ Ｎ 过渡层有利于晶体质量的提高； Ｐ Ｌ 谱主峰红...
关键词：氮化镓 MOCVD 外延生长 
在ZnO/Al_2O_3衬底上生长高质量GaN单晶薄膜被引量：1
《高技术通讯》1999年第3期35-38,共4页毛祥军 杨志坚 张国义 叶志镇 
国家自然科学基金
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了ＧａＮ。实验发现低温生长ＧａＮ过渡层有利于晶体质量的提高；样品ＰＬ谱主峰红移到蓝光区。
关键词：衬底 氧化锌 氮化镓 单晶 薄膜 蓝色 LED 
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