用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性  

Growth of GaN Single Crystal Film on ZnO/Al\-2O\-3 Substrate and Its Characteristics

作　　者：毛祥军[1] 杨志坚[1] 李景 屈建勤 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学物理系,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第8期639-643,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文报道利用直流反应磁控溅射技术在 Ａｌ２ Ｏ３ 上生长一层 Ｚｎ Ｏ，再用 Ｌ Ｐ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 在 Ｚｎ Ｏ／ Ａｌ２ Ｏ３ 衬底上生长 Ｇａ Ｎ．实验发现低温生长 Ｃａ Ｎ 过渡层有利于晶体质量的提高； Ｐ Ｌ 谱主峰红移到蓝光区；二次离子质谱仪（ Ｓ Ｉ Ｍ Ｓ）测量发现有 Ｚｎ 扩散到 Ｇａ Ｎ 外延层， Ｚｎ 的扩散引起光致发光谱主峰移动．估算出在 １０５０℃ Ｚｎ 在 Ｇａ Ｎ 中扩散系数是 ８６×１０－ １４ ｃｍ ２ ／ｓ．It is reported that GaN was grown on ZnO/Al\-2O\-3 substrate by LP\|MOCVD,and its characteristics were studied.The experimental results show that the GaN buffer is necessary for improving the quality of GaN epitaxial layer.The main photoluminescence peak of GaN epitaxial layer moves to blue spectrum,which has been confirmed that diffusing of Zn in ZnO layer into GaN is responsible.The diffusion coefficient of Zn in GaN at 1050℃ is valued as 8 6×10 -14 cm\+2/s.

关 键 词：氮化镓 MOCVD 外延生长 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.054