快速退火Mg∶GaN的光致发光研究  

PL Characteristics of Rapidly Annealed Mg∶GaN

作　　者：毛祥军[1] 杨志坚[1] 金泗轩[1] 童玉珍[1] 王晶晶[1] 李非[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学物理系人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第10期857-861,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨，提出深Ｎ 空位能级到ＭｇIt is reported that Mg∶GaN with Mg concentration of 2×10 20 cm\+\{-3\} is grown on Al\-2O\-3 substrate by LP\|MOCVD.The effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence(PL) characteristics is studied.The results show that PL spectrum can be divided into two peaks of 410nm and 450nm,respectively.Native defects in GaN,especially V\-N,may be responsible for the origin of the peaks.

关 键 词：快速退火 光致发光 镁 氮化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN383.205