于振瑞

作品数：19被引量：58H指数：5
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供职机构：中国人民解放军军事交通学院更多>>
发文主题：电致变色结构特性电沉积法制备电沉积法WO更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《光电子．激光》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》《太阳能学报》更多>>
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基于FPGA和模糊控制的模型车运动学仿真被引量：6
《微计算机信息》2006年第05Z期182-184,271,共4页刘洋 李长安 于振瑞 曾锐利 崔加前 
国家自然科学基金(批准号:50172061)
模型车运动学仿真系统是集硬件、软件于一身的完整且复杂的系统,它在汽车驾驶模拟训练领域的市场前景非常广阔。但是,采用传统的数学建模方法,很难得到精确而又简单的数学模型。该文介绍了一种基于C8051F020和FPGA的模糊控制模型车运动...
关键词：运动学仿真 模糊控制 FPGA C8051F020 
SiO_2:nm-Ag的制备及其结构特性被引量：2
《电子元件与材料》2005年第6期1-3,共3页杜金会 于振瑞 张加友 李正群 王妍妍 
国家自然科学基金资助项目(50172061)
采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理。用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素。结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉。干凝胶研磨后在500℃退...
关键词：复合材料 SIO2 nm-Ag微粉 纳米簇 溶胶-凝胶法 
无水化学沉积法制备Sb_2S_3薄膜被引量：3
《光电子．激光》2005年第5期530-533,共4页杜金会 于振瑞 李正群 张加友 王妍妍 
国家自然科学基金资助项目(50172061)
采用无水化学沉积(NCBD)法在玻璃基片上制备了Sb2S3薄膜.先用无水乙醇将4.0 mL浓度为0.1 mol/L的SbCl3乙醇溶液稀释至39.6 mL,再加入0.4 mL浓度为0.5 mol/L的CH3CSNH2乙醇溶液,搅拌均匀后垂直放入玻璃基片,在15～18 ℃温度下沉积72 h后...
关键词：化学沉积法 薄膜 制备 CH3CSNH2 扫描电子显微镜 玻璃基片 光学带隙 X射线衍射 溶液稀释 无水乙醇 乙醇溶液 搅拌均匀 退火处理 结构特性 测试计算 正交晶系 高温退火 非晶态 浓度 多晶 
LBL法制备Cu_3SbS_4薄膜
《电子元件与材料》2005年第4期24-27,共4页杜金会 于振瑞 张加友 
国家自然科学基金资助项目(50172061)
针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL(layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜。即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结...
关键词：复合材料 Cu3SbS4薄膜 LBL(layer—by—layer)法 结构特性 光学特性 
Cu_2SnS_3薄膜的制备及性能研究被引量：2
《光电子技术》2004年第3期151-155,158,共6页杜金会 于振瑞 张加友 王妍妍 李正群 
国家自然科学基金资助项目 (No.5 0 1 72 0 6 1 )
采用 LBL(layer- by- layer)法制备了 Cu2 Sn S3 薄膜。即首先采用电化学方法在 Sn O2 衬底上制备 Sn S薄膜 ,然后又在其上用化学沉积法制备 Cu S薄膜 ,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的 Cu2 Sn S3 薄膜。探讨了薄膜的制备机理、...
关键词：Cu2SnS3薄膜 LBL(1ayer-by-layer)法 结构特性 光学特性 
Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应
《Journal of Semiconductors》2003年第11期1180-1184,共5页于振瑞 杜金会 张加友 李长安 Aceves M 
国家自然科学基金(批准号 :5 0 172 0 61);墨西哥Conacyt资助项目~~
利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电...
关键词：富硅氧化硅 电荷俘获效应 C-V测试 诱导pn结 
CoSnS_2薄膜的制备及性能研究被引量：1
《功能材料与器件学报》2003年第3期247-252,共6页杜金会 于振瑞 王如 张加友 王旭艳 李正群 
国家自然科学基金资助项目(批号:50172061)
采用两种方法制备了CoSnS2薄膜。在两步电沉积法中,先沉积SnS薄膜,再在其上制备CoS沉积薄膜,最后进行退火处理形成厚度约为1250nm的CoSnS2薄膜。在三元共沉积法中,加入EDTA(乙二胺四乙酸二钠)配合剂来调整Sn、Co、S的沉积电势以实现这...
关键词：CoSnS2薄膜 两步电沉积法 三元共沉积法 制备 结构特性 光学特性 
电沉积法制备CoS薄膜被引量：8
《光电子．激光》2002年第12期1215-1218,共4页杜金会 于振瑞 王旭艳 张加友 贾小东 郭淑华 
国家自然科学基金资助项目 (5 0 172 0 61)
采用电沉积法在 Sn O2 透明导电玻璃上制备 Co S薄膜 ,电沉积液为 Co Cl2 、Na2 S2 O3和 EDTA的混合溶液。探讨了利用电化学法实现 Co S阴极式共沉积的机理 ,并研究了制备条件对薄膜结构特性和光学特性的影响。制备的薄膜为多晶的γ- Co...
关键词：CoS薄膜 电沉积法 X-射线衍射 XRD 扫描电子显微镜 SEM 
电沉积法制备SnS薄膜被引量：11
《光电子．激光》2002年第9期889-892,共4页杜金会 于振瑞 张加友 杨嘉 郭淑华 
国家自然科学基金资助项目 (5 0 172 0 61)
采用了电沉积法在 Sn O2 透明导电玻璃上制备了硫化锡 (Sn S)薄膜 ,并对用电化学法实现 Sn和 S共沉积的条件参数进行了理论探讨。实验中 ,利用 Sn Cl2 和 Na2 S2 O3的混合水溶液作为电沉积液制备了均匀的 Sn S薄膜 ,对实验参数进行了优...
关键词：SnS薄膜 太阳能电池 电沉积法 光学带隙 硫化锡薄膜 
硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究被引量：4
《光电子．激光》2001年第12期1247-1249,共3页孙钟林 薛俊明 耿卫东 于振瑞 陆靖谷 
国家自然科学基金资助项目 (5 9972 0 13 )
为实现 OEIC的全 Si化 ,以适应稀土 Er发光的宽带隙半导体材料。研究了 C- Si基底上注 C形成微晶碳化硅 (μ c- Si C)的途径。经高浓度注 C,在 110 0～ 10 0 0℃ 2 h退火 ,经 X- ray与 Raman测试证明可以获得 μ c- Si C结构。因为在宽...
关键词：离子注入C 退火 微晶碳化硅 硅 
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