龚义元

作品数：4被引量：7H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：硅集成电路MOSLDDCMOS集成电路更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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所获基金：国家自然科学基金国家科技攻关计划更多>>
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CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1538-1542,共5页王启元 林兰英 何自强 龚义元 蔡田海 郁元桓 何龙珠 高秀峰 王建华 邓惠芳 
"九五"国家重点科技攻关计划资助项目~~
报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用于集成电路生产线 ,芯片成品率大于 80 % .
关键词：硅 外延生长 CMOS 集成电路 
硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第7期667-672,共6页王艳兵 孙永科 乔永平 张伯蕊 秦国刚 陈文台 龚义元 吴德馨 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金资助项目
将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950和 1 0 50℃退火后 ,进行电致发光研究 .对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅 .对于离...
关键词：电致发光 二氧化硅 锗 氩离子 离子注入 
自对准Ti－SALICIDE　LDD　MOS工艺研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1994年第9期603-610,共8页徐秋霞 龚义元 张建欣 汪锁发 翦进 海潮和 扈焕章 
本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上...
关键词：Ti-SALICIDE 自对准 MOS器件 工艺 
TiSi_2　Polycide　LDD　MOS工艺研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第5期361-366,共6页徐秋霞 龚义元 张建欣 扈焕章 汪锁发 李卫宁 
本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，...
关键词：MOS 多晶硅复合栅 场效应 工艺 
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