CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料  

Φ150-200mm Epitaxial Silicon Materials Applied to CMOS Integrated Circuits

作　　者：王启元[1] 林兰英[1] 何自强[2] 龚义元[2] 蔡田海[1] 郁元桓[1] 何龙珠[2] 高秀峰[2] 王建华[1] 邓惠芳[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京100083 [2]中国科学院微电子中心,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第12期1538-1542,共5页半导体学报（英文版）

基　　金："九五"国家重点科技攻关计划资助项目~~

摘　　要：报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用于集成电路生产线 ,芯片成品率大于 80 % .The latest research and development of Φ 150mm epitaxial silicon materials and their applications for ICs are reported.The preliminary study on Φ 200mm P/P - epitaxial silicon wafer is carried out.Research results indicated that Φ 150mm epitaxial silicon wafers are accomplished in volume production and successfully used for IC fabrications with a high device yields of above 80%.The material parameters of the epitaxial wafers can meet the demanding requirements of ICs fabrications.

关 键 词：硅 外延生长 CMOS 集成电路 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]