场效应

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面向后摩尔Ge-CMOS制造的超薄高介电常数LaLuO_(3)栅介质工艺研究
《物理学报》2025年第9期277-283,共7页唐晓雨 刘玉杰 花涛 
国家自然科学基金(批准号:62104102);南京工程学院引进人才基金(批准号:YKJ201827)资助的课题.
IV族元素锗材料由于具有电子和空穴迁移率高、禁带宽度小、与硅工艺相兼容等优势,在低功耗高迁移率场效应晶体管领域具有广泛的应用潜力,相应的Ge基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)技术成为延续摩尔(more Moore)和超越摩尔(more...
关键词：Ge 基金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅极结构工艺 稀土氧化物 高介电常数 
高功率宽调谐声光调制器驱动源的研究
《量子电子学报》2025年第2期238-245,共8页王锦荣 吴双娥 米成栋 朱梦琦 程子源 高旭珍 史旭蓉 杜胜利 
山西省高等学校科技创新项目(2021L562,2022L573);吕梁市引进高层次科技人才重点研发项目(2021RC-2-27);吕梁市社会发展领域重点研发项目(2022SHFZ43)。
声光调制器是一种重要的光学器件,其性能在很大程度上依赖于驱动源的性能。因此,针对不同的应用场景,研制高性能的声光调制器驱动源具有重要意义。本文针对量子光学领域真空压缩光制备中光学参量振荡腔腔长锁定对声光调制器的应用需求,...
关键词：光电子学 声光调制器驱动源 射频金属氧化物半导体(MOS)场效应管 连续调谐 自动关断保护电路 
西安电子科技大学在铁电场效应晶体管(FeFET)存储和存算技术领域取得重要进展
《陕西教育(高教版)》2025年第4期9-9,共1页陈栋(整理) 
据西安电子科技大学网站,近日,西安电子科技大学杭州研究院(西电杭研院)韩根全教授课题组在铁电场效应晶体管(FeFET)存储和存算技术领域取得重要进展,相关研究成果以“Low-power Edge Detection Based on Ferroelectric Field-Effect Tr...
关键词：铁电场效应晶体管 西安电子科技大学 FET 
车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述
《汽车工程师》2025年第4期1-9,共9页李尊 张政 吴毅卓 王学耀 
针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/D...
关键词：电动汽车 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 功率半导体芯片 导通损耗 转换效率 
基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
《半导体技术》2025年第4期339-344,共6页王悦杨 马英杰 白永林 吴佳颖 廉浩哲 唐敏 刘伟景 
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过...
关键词：核壳结构 纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型 SPICE建模 
基于FeFET的完全非易失全加器设计
《宁波大学学报(理工版)》2025年第2期71-77,共7页王凯玥 查晓婧 王伦耀 夏银水 
国家自然科学基金(62304115,U23A20351);浙江省自然科学基金创新群体项目(LDT23F04021F04).
铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field-Effect Transistor,FeFET)的滞回特性使其既可充当开关又可充当非易失性存储元件,常被应用于存内逻辑电路设计.然而现有基于FeFET的存内逻辑电路设计存在计算时需要访问部分操作数,输出需要额外...
关键词：铁电场效应晶体管 存内逻辑 非易失性 全加器 
基于同步脉冲补偿的Buck DC/DC变换器共模EMI抑制方法
《中国电机工程学报》2025年第7期2732-2743,I0024,共13页罗嗣勇 毕闯 陈允 张鹏飞 崔博源 成林 
国家电网有限公司科技项目(5500-202255135A-1-1-ZN)。
碳化硅场效应管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)在快速导通关断时会产生高的dv/dt和di/dt,进而对其他设备造成严重的共模电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)。因此,为了提高...
关键词：碳化硅场效应管 电磁干扰 共模噪声 数字电磁干扰滤波器 同步脉冲补偿 
碳纳米管场效应晶体管的X射线辐照效应
《物理学报》2025年第5期267-274,共8页曾天祥 李济芳 郭红霞 马武英 雷志锋 钟向丽 张鸿 王颂文 
国家自然科学基金(批准号:12275230,12027813)资助的课题.
本文针对N型和P型碳纳米管场效应晶体管(carbon nanotube field-effect transistor,CNTFET)开展了10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,不同类型的晶体管在辐照后均出现阈值电压漂移、跨导下降、亚阈值摆幅上升和饱和电流下降的现象...
关键词：碳纳米管场效应晶体管 X 射线辐照 总剂量效应 
石墨烯场效应晶体管生物传感器无标记检测脓毒症
《分析试验室》2025年第3期331-335,共5页刘雨双 王明轩 陈福荣 张颖 
国家自然科学基金(22104066);内蒙古民族大学博士科研启动基金(BS515)资助。
开发了一种基于降钙素原抗体功能化的石墨烯场效应晶体管(GFET)生物传感器,用于脓毒症标志物降钙素原(PCT)的检测。实验结果表明,GFET生物传感器在6 ag/mL~100 pg/mL范围内均有良好的线性响应,检测限为2.47 ag/mL。利用该GFET传感器实...
关键词：脓毒症 石墨烯场效应晶体管生物传感器 降钙素原 
自适应逐周期逼近型SiC MOSFET栅极驱动芯片
《华中科技大学学报(自然科学版)》2025年第3期135-141,共7页张烁 周清越 李超 陈伟铭 刘畅 童乔凌 
国家电网有限公司科技项目(5500-202321512A-3-2-ZN);面向碳化硅器件的自适应多段式驱动芯片关键技术研究。
为了抑制碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开通过程中产生的电流过冲,设计了一种自适应逐周期逼近型SiC MOSFET有源栅极驱动芯片.通过对SiC MOSFET的开通过程的分析,总结出电流过冲的产生机理,提出了抑制电流过冲的方...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 有源栅极驱动 自适应 电流过冲 开通损耗 逐周期逼近 
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