碳纳米管场效应晶体管

作品数：32被引量：30H指数：3
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碳纳米管场效应晶体管的X射线辐照效应
《物理学报》2025年第5期267-274,共8页曾天祥 李济芳 郭红霞 马武英 雷志锋 钟向丽 张鸿 王颂文 
国家自然科学基金(批准号:12275230,12027813)资助的课题.
本文针对N型和P型碳纳米管场效应晶体管(carbon nanotube field-effect transistor,CNTFET)开展了10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,不同类型的晶体管在辐照后均出现阈值电压漂移、跨导下降、亚阈值摆幅上升和饱和电流下降的现象...
关键词：碳纳米管场效应晶体管 X 射线辐照 总剂量效应 
碳纳米管场效应晶体管制备的新进展:可降解聚合物包裹技术
《石油炼制与化工》2024年第12期126-126,共1页燕春晖(摘译) 
随着传统硅基技术接近物理极限,寻找新型半导体材料成为了研究热点。碳纳米管(CNTs),特别是半导体型碳纳米管(s-CNTs),因其卓越的载流子迁移率和低本征电容,被认为是未来高性能电子器件的理想材料。然而,传统聚合物包裹技术虽然能有效...
关键词：半导体碳纳米管 碳纳米管场效应晶体管 可降解聚合物 载流子迁移率 新型半导体 团队开发 物理极限 半导体型 
碳纳米管场效应晶体管的制备技术发展与挑战
《固体电子学研究与进展》2024年第6期503-518,共16页高喜龙 司佳 张志勇 
由平行阵列碳纳米管(Aligned carbon nanotubes,ACNTs)材料构建的场效应晶体管因其超高的载流子迁移率、尺寸缩减潜力、互补金属氧化物半导体(Complementary-metal-oxide-semiconductor,CMOS)的可实现性以及晶圆级制备的可能性,成为后...
关键词：阵列碳纳米管 场效应晶体管 集成电路 工艺优化 
基于碳基500nm工艺的双采样真随机数发生器
《半导体技术》2024年第8期732-741,757,共11页蔡铭嫣 张九龄 陈智峰 廖文丽 陈译 陈铖颖 
福建省自然科学基金(2023H0052);厦门市重大科技计划项目(3502Z20221022)。
碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)因其极小的尺寸、超高的载流子迁移率、准一维结构的弹道输运等特性,顺应了未来集成电路高集成化和微型化的发展趋势。基于课题组构建的500 nm碳基工艺设计包,设计了一款真随机数发生器(TRNG)。碳基真随机...
关键词：碳纳米管场效应晶体管(CNTFET) 紧凑模型 真随机数发生器(TRNG) 振荡器 时钟抖动 
基于CNFET电路段内关键门的全局布局算法
《计算机辅助设计与图形学学报》2024年第3期464-472,共9页田康林 赵康 
国家重点研发计划资助(2022YFB2901100)。
针对传统硅基电路布局算法在碳纳米管(CNT)密度变化的碳纳米管场效应晶体管(CNFET)电路上表现出时序良率不高的问题,提出一种基于段内关键门的全局布局算法.首先自底向上逐级分析电路各个层级,依次建立门延迟、门树延迟模型,在此基础上...
关键词：碳纳米管 碳纳米管场效应晶体管 不对称空间相关性 全局布局算法 
碳纳米管场效应晶体管重离子单粒子效应研究
《电子与封装》2024年第1期45-50,共6页翟培卓 王印权 徐何军 郑若成 朱少立 
碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)具备优良的电学性能和稳定的化学结构,表现出较强的恶劣环境耐受能力,但其抗辐射性能仍缺乏充足的试验验证。以超薄CNT为沟道材料、HfO2为栅介质层的CNT FET为对象,研究了209Bi重离子辐射引起的器件单粒...
关键词：碳纳米管 场效应管 重离子 单粒子效应 
碳纳米管场效应晶体管紧凑模型研究进展被引量：1
《微电子学》2023年第2期286-294,共9页杨可 左石凯 王尘 蒋见花 陈铖颖 
国家自然科学基金资助项目(61704143,61904155);福建省自然科学基金面上项目(2020J01295);厦门市2020年青年创新基金资助项目(3502Z20206074);厦门市重大科技项目(3502Z20221022)。
随着摩尔定律逼近极限,碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)被认为是5 nm以下CMOS晶体管的有力替代者。CNTFET具有准一维结构,栅极可有效控制导电沟道的导通/关断;同时,载流子在沟道内可实现近弹道输运,具有极高的迁移率。因此,CNTFET在低电...
关键词：碳纳米管 漏极电流 隧穿效应 寄生效应 紧凑模型 
后摩尔时代新兴计算芯片进展被引量：2
《微电子学》2020年第3期384-388,共5页武俊齐 赖凡 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(614280205030517)。
信息处理系统由于基础半导体技术遭遇"摩尔定律接近终结"和现行计算架构(冯·诺依曼架构)缺陷所导致的瓶颈,其发展受到严重挑战。为克服这些制约因素,一方面,集成电路开始沿着由技术内生动力和应用拉动的趋势,即"超越摩尔定律"和"超越CM...
关键词：摩尔定律 超越摩尔定律 超越CMOS 计算芯片 3D SoC 碳纳米管场效应晶体管 冯·诺依曼架构 神经形态计算 量子计算 边缘计算 
介质中双缺陷电荷对碳纳米管场效应晶体管量子输运特性的影响
《计算物理》2020年第3期352-364,共13页魏志超 王能平 
国家自然科学基金(61176081)资助项目。
用非平衡格林函数理论和紧束缚模型近似计算长沟道弹道输运p型碳纳米管场效应管中电流强度.研究当场效应管介质(SiO2)中存在两个带电缺陷时,载流子散射所引起的电流强度减小和栅极阈值电压偏移量与缺陷位置的关系.介质中两个缺陷所带电...
关键词：非平衡格林函数 碳纳米管 场效应管 随机电报信号杂音 
基于CNFET的高性能三值SRAM-PUF电路设计
《电子学报》2017年第5期1090-1095,共6页汪鹏君 龚道辉 张会红 康耀鹏 
国家自然科学基金(No.61474068;No.61234002);浙江省公益性技术应用研究计划项目(No.2016C31078);浙江省自然科学基金(No.LQ14F040001);宁波市自然科学基金(No.2015A610107)
通过对碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和物理不可克隆函(Physical Unclonable Functions,PUF)电路的研究,提出一种高性能三值SRAM-PUF电路结构.该电路结构首先利用交叉耦合三值反相器产生随机电...
关键词：碳纳米管场效应晶体管 三值逻辑 SRAM-PUF 随机性 唯一性 
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