汪锁发

作品数：7被引量：13H指数：2
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发文主题：激光器MOSLDD多晶硅微带线更多>>
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发文期刊：《半导体技术》《电子器件》《Journal of Semiconductors》更多>>
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基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT被引量：5
《Journal of Semiconductors》2005年第5期990-993,共4页陈晓娟 刘新宇 邵刚 刘键 和致经 汪锁发 吴德馨 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2 SW 107)资助项目 ~~
采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14 .9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33%.表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄生电...
关键词：ALGAN/GAN HEMT FC 倒扣 热阻 
光发射模块中激光器与光纤的无源耦合
《半导体技术》2005年第1期66-68,共3页杨存永 汪锁发 赵知夷 
对光电发射模块中激光器与光纤的无源耦合作了研究。利用成熟的100mm硅工艺研制成功了无源耦合用硅基平台,并可以批量生产。在此基础上利用倒装工艺实现了激光器与单模光纤的无源耦合, 出纤光功率达到了毫瓦级,且经过37次高低温冲击性...
关键词：硅基平台 无源耦合 V型槽 
硅射频微带电路S参数模拟研究被引量：3
《电子器件》2004年第2期241-244,共4页韩振宇 李树翀 汪锁发 赵知夷 
国家重点基础研究发展规划 (973;G2 0 0 2CB31190 6 )资助项目
对不同电阻率硅片射频微带电路S参数进行了模拟研究。建立了 5层结构的微带电路物理结构模型 ,对两种电阻率硅片上不同尺寸 (2× 10 - 5m到 2 0× 10 - 5m)微带线 1～ 10GHz频率范围内的S1 1 和S2 1 参数进行模拟计算。研究结果表明 :...
关键词：硅片 微带电路 S参数 反射 传输 
自对准Ti－SALICIDE　LDD　MOS工艺研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1994年第9期603-610,共8页徐秋霞 龚义元 张建欣 汪锁发 翦进 海潮和 扈焕章 
本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上...
关键词：Ti-SALICIDE 自对准 MOS器件 工艺 
TiSi_2　Polycide　LDD　MOS工艺研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第5期361-366,共6页徐秋霞 龚义元 张建欣 扈焕章 汪锁发 李卫宁 
本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，...
关键词：MOS 多晶硅复合栅 场效应 工艺 
WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》1990年第7期556-560,共5页张利春 高玉芝 宁宝俊 方克微 汪锁发 柴淑敏 
国家自然科学基金
本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,经800℃快速热退火后,WN_x/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.79ev,理想因子为1...
关键词：氮化钨 砷化镓 肖特基势垒 溅射 
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