邵刚

作品数：6被引量：10H指数：3
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：ALGAN/GANHEMTSHEMT微波功率电镀更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子器件》《Journal of Semiconductors》更多>>
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采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件被引量：1
《电子器件》2005年第3期479-481,共3页陈晓娟 刘新宇 和致经 刘键 邵刚 魏珂 吴德馨 王晓亮 周钧铭 陈宏 
为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaNHEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS-HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaNMOS-HFET器件栅...
关键词：ALGAN GAN SIO2 MOS—HFET 
基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT被引量：5
《Journal of Semiconductors》2005年第5期990-993,共4页陈晓娟 刘新宇 邵刚 刘键 和致经 汪锁发 吴德馨 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2 SW 107)资助项目 ~~
采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14 .9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33%.表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄生电...
关键词：ALGAN/GAN HEMT FC 倒扣 热阻 
高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制被引量：4
《Journal of Semiconductors》2005年第1期88-91,共4页邵刚 刘新宇 和致经 刘键 魏珂 陈晓娟 吴德馨 王晓亮 陈宏 
国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 3 );中国科学院重点创新 (批准号 :KGCX2 SW 10 7)资助项目~~
报道了基于蓝宝石衬底的高性能 1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件 .为了提高微波功率器件性能 ,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案 .测试表明 ,器件电流密度为 0 784A/mm ,跨导 197mS/mm ,击穿电压大于 4 0V ,截止态漏电较小 ,1mm栅宽器件的...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 微波功率 单位截止频率 
Cascode Connected AlGaN/GaN Microwave HEMTs on Sapphire Substrates
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1567-1572,共6页邵刚 刘新宇 和致经 刘健 吴德馨 
国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 CB3 1190 3 );中国科学院重点创新 (批准号 :KGCX2 -SW-10 7)资助项目~~
Fabrication and characteristics of cascade connected AlGaN/GaN HEMTs grown on sapphire substrates are reported.The circuit employs a common source device,which has a gate length of 0.8μm cascode connected to a 1μm c...
关键词：CASCADE broadband ALGAN/GAN HEMTS SAPPHIRE 
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制被引量：3
《电子器件》2004年第3期381-384,共4页邵刚 刘新宇 和致经 刘键 魏珂 陈晓娟 吴德馨 
国家重点基础研究发展计划资助项目 ( 2 0 0 2 CB3 1 1 90 3 );中国科学院重点创新资助项目 ( KGCX2 -SW-1 0 7)
基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 微波功率 单位截止频率 
AlGaN/GaN共栅共源HEMTs器件
《电子器件》2004年第3期385-388,共4页邵刚 刘新宇 刘键 和致经 
国家重点基础研究发展计划项目 ( 2 0 0 2 CB3 1 1 90 3 );中国科学院重点创新资助项目 ( KGCX2 -SW-1 0 7)
研究了蓝宝石衬底 Al Ga N/Ga N共栅共源器件的特性。该器件包括栅长 0 .8μm共源器件与栅长 1 μm的共栅器件。研究表明 ,共栅共源器件的第二栅压对的器件饱和电流与跨导有明显的调制作用 ,容易实现功率增益控制。与共源器件相比 ,共...
关键词：共栅共源AlGaN/GaN HEMTS 微波 功率增益 
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