Cascode Connected AlGaN/GaN Microwave HEMTs on Sapphire Substrates  

蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件(英文)

作　　者：邵刚[1] 刘新宇[1] 和致经[1] 刘健[1] 吴德馨[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第12期1567-1572,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 CB3 1190 3 );中国科学院重点创新 (批准号 :KGCX2 -SW-10 7)资助项目~~

摘　　要：Fabrication and characteristics of cascade connected AlGaN/GaN HEMTs grown on sapphire substrates are reported.The circuit employs a common source device,which has a gate length of 0.8μm cascode connected to a 1μm common gate device.The second gate bias will not only remarkably affect saturated current and transconductance,but also realize power gain control.Cascode device exhibits a slight lower of f T,a less feedback,a largely greater of maximum available gain and a higher impedance compare to that of common source device.报道了蓝宝石衬底 Al Ga N/ Ga N共栅共源器件的制备与特性 .该器件包括栅长为 0 .8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件 .实验表明 ,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性 ,从而控制功率增益 .与共源器件相比 ,共栅共源器件表现出稍低的 f T、较低的反馈、显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗 .

关 键 词：CASCADE broadband ALGAN/GAN HEMTS SAPPHIRE 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学]