刘键

作品数：25被引量：44H指数：4
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：硅衬底ALGAN/GAN_HEMTALGAN/GAN氮化碳薄膜氮化碳更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《科技纵览》《红外与激光工程》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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等离子增强化学气相沉积法低温生长SiO_x薄膜的针孔缺陷修复被引量：4
《电子与封装》2020年第1期48-53,共6页刘键 胡跃明 冷兴龙 杜鹃 
针对等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法低温(60℃)生长氧化硅(SiOx)薄膜中存在的针孔缺陷,在SiOx薄膜上采取原子层沉积(ALD)方法生长氧化铝(AlOy),利用ALD方法材料保形生长的特点,进行SiOx薄膜的针孔缺陷修复工艺技术研究。实验结果表...
关键词：薄膜封装 针孔缺陷 水汽渗透率 
有机电子器件低温柔性薄膜封装研究获进展
《科技纵览》2014年第3期68-69,共2页刘键 刘杰 
有机电子器件，特别是光电子器件，具有发光效率高、工作电压低、轻、薄、柔等一系列优点，是当今国际的研究热点之一。自1992年基于塑料PET基板上的柔性高分子材料OLED面世以来，柔性封装就开始备受OLED行业关注。
关键词：有机电子器件 低温柔性 薄膜封装 OLED 光电子器件 高分子材料 发光效率 工作电压 
全自动荧光粉涂覆工艺研究被引量：1
《半导体技术》2013年第4期288-291,共4页刘杰 刘键 冷兴龙 屈芙蓉 刘俊标 吴茹菲 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目;广东省科学技术厅项目(00946220118632064)
自行设计并搭建了一套全自动荧光粉涂覆系统。针对涂覆工艺,通过扫描电子显微镜研究真空搅拌除泡处理时间对涂覆质量的影响,结果发现未经真空搅拌除泡处理的荧光粉涂覆层中有直径达140μm的气泡,且涂覆层厚度均匀性较差;经过20和40 s真...
关键词：LED 荧光粉涂覆 真空搅拌除泡 涂覆层厚度均匀性 LED发光特性 
全自动荧光粉涂覆工艺及设备研究
《半导体光电》2013年第1期66-68,共3页刘杰 刘键 冷兴龙 屈芙蓉 刘俊标 吴茹菲 
广东省科学技术厅项目(00946220118632064);国家"973"计划项目(2010CB327702)
自行设计并搭建了一套全自动荧光粉涂覆系统。针对涂覆工艺,研究了有无真空搅拌除泡装置对荧光粉涂覆效果的影响,结果发现未经真空搅拌除泡处理的荧光粉涂覆层厚度均匀性较差,且涂覆层中有明显的气泡,气泡直径可达1mm;经过真空搅拌除泡...
关键词：LED 荧光粉涂覆 真空搅拌除泡装置 
紫外日盲焦平面探测器成像处理系统研制被引量：4
《红外与激光工程》2011年第4期690-695,共6页朱杰 麻芃 白云 刘键 
中国科学院微电子所所长基金项目(07SF084003)
描述了基于DSP芯片和USB接口芯片的成像处理系统的硬件和软件设计,实现了对128×128阵列的氮化镓基紫外日盲焦平面探测器输出信号的采集和处理,在PC端绘制优质景物图像的功能。并利用DSP芯片的高速数字信号处理性能和USB芯片的高速传输...
关键词：焦平面 信号采集 图像处理 双缓冲堆 界面软件 
三维物体的重建方法被引量：3
《微纳电子技术》2010年第9期564-572,共9页饶志鹏 刘键 夏洋 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327702)
综述了三维物体重建的各种方法。首先介绍被动还原重建的几种方法,指出了它们的缺陷,即像素匹配问题。接着介绍了从二维坐标空间转化到三维坐标空间所要遵从的对极几何限制,并通过数学推导得出坐标转化表达式。在此基础上重点讨论了三...
关键词：计算机视觉 匹配问题 主动还原 结构光 彩色条纹 
焦平面阵列BP神经网络非均匀性校正及其算法改进被引量：3
《红外技术》2010年第7期377-380,共4页朱杰 麻芃 白云 刘键 刘新宇 
中国科学院微电子所所长基金项目;编号:07SF084003
在紫外成像系统中,紫外焦平面阵列的非均匀性是影响成像质量的重要因素。介绍了标准的神经网络算法对焦平面阵列非均匀性的校正,并针对标准的神经网络算法的收敛速度慢的缺点,提出了改进算法。通过matlab对算法进行仿真,结果表明BP神经...
关键词：紫外焦平面阵列 非均匀性校正 神经网络 
Ni/Au、Pd/Au与p-AlGaN材料的接触特性
《功能材料与器件学报》2010年第1期77-80,共4页白云 麻芃 朱杰 刘键 刘新宇 
在AlGaNpin型日盲紫外探测器结构中的p-AlGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600～850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质。实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能。为了更好的...
关键词：p-AlGaN 高Al组分 欧姆接触 
基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计被引量：5
《电子器件》2008年第6期1794-1796,共3页曾轩 陈晓娟 刘果果 袁婷婷 陈中子 张辉 王亮 李诚瞻 庞磊 刘新宇 刘键 
利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Psat=40 dBm(10 W),最...
关键词：ALGAN/GANHEMT 内匹配 功率合成 功率放大器 
电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用被引量：8
《微纳电子技术》2008年第12期683-688,共6页陈宝钦 赵珉 吴璇 牛洁斌 刘键 任黎明 王琴 朱效立 徐秋霞 谢常青 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2006CB0N0604;2006CB302706;2007CB935302)
电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电...
关键词：电子束光刻 电子束直写 电子束邻近效应校正 纳米制造 纳米器件 纳米结构 
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