任黎明

作品数：11被引量：42H指数：5
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发文主题：石墨烯金属纳电子学电子束曝光光刻胶更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术文化科学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》《微细加工技术》《北京大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划“九五”国家科技攻关计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究被引量：3
《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期704-708,共5页魏子钧 王志刚 李晨 郭剑 任黎明 张朝晖 傅云义 黄如 
国家科技重大专项(2011ZX02707-2);高等学校博士学科点专项科研基金(20130001110024)资助
采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背...
关键词：石墨烯场效应晶体管 光电响应 背栅调制 
应用于纳米制造的新型电子束抗蚀剂Calixarene的工艺研究被引量：1
《纳米技术与精密工程》2009年第3期275-278,共4页赵珉 陈宝钦 刘明 任黎明 谢常青 朱效立 安南 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(2006CB0N0604)
为了满足电子束光刻(EBL)对高分辨率、性能优秀抗蚀剂的需求,研究了将Calixarene衍生物作为电子束抗蚀剂在胶液配制、电子束曝光及显影等工艺过程中的相关技术.其中电子束曝光实验在JEOL JBX-5000LS系统上进行.实验结果表明,在入射电子...
关键词：纳米制造 电子束光刻 工艺技术 电子束抗蚀剂 CALIXARENE 
电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用被引量：8
《微纳电子技术》2008年第12期683-688,共6页陈宝钦 赵珉 吴璇 牛洁斌 刘键 任黎明 王琴 朱效立 徐秋霞 谢常青 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2006CB0N0604;2006CB302706;2007CB935302)
电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电...
关键词：电子束光刻 电子束直写 电子束邻近效应校正 纳米制造 纳米器件 纳米结构 
光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术被引量：4
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期1-6,共6页陈宝钦 刘明 徐秋霞 薛丽君 李金儒 汤跃科 赵珉 刘珠明 王德强 任黎明 胡勇 龙世兵 陆晶 杨清华 张立辉 牛洁斌 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036504)和国家自然科学基金(批准号:90207004,60376020,60390071,60236010,60276019,60576032)资助项目
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑...
关键词：微光刻技术 微纳米加工技术 电子束直写 匹配与混合光刻技术 
纳米级精细线条图形的微细加工被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1722-1725,共4页任黎明 王文平 陈宝钦 周毅 黄如 张兴 
国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 1);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的 ICP刻蚀技术进行了研究 ,形成一套以负性化学放大胶 SAL- 6 0 1为电子抗蚀剂的电子束光刻及 ICP刻蚀的优化工艺参数 ,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出...
关键词：微细加工 电子束光刻 邻近效应校正 ICP刻蚀 
电子束直写邻近效应校正技术被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期221-225,共5页陈宝钦 任黎明 刘明 王云翔 龙世兵 陆晶 李泠 
通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程，探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径。实验结果表明：邻近效应现象是一种综合效应，可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响，使邻近效应校正达到预期的效果。
关键词：纳米结构图形 电子柬直写 蒙特卡罗模拟 邻近效应校正 
一种新的散射电子空间输运坐标转换方法被引量：6
《光电工程》2002年第3期24-27,共4页任黎明 陈宝钦 谭震宇 顾文琪 
国家九五科技攻关项目(KT0305-G9720 97-762-03-02);国家重点基础研究项目(973计划)(G2000036504)
提出一种新的随动坐标系矢量转换方法,给出用于转换散射电子空间输运坐标的矩阵方程。 该方程具有递推的形式,计算方便,并且只涉及乘法运算,不会引起计算上的困难,将其用于PMMA-Si中电子散射过程的Monte Carlo模拟,结果表明可以有效节...
关键词：电子束曝光 蒙特卡罗法 坐标转换 
电子束曝光的Monte Carlo模拟被引量：3
《微细加工技术》2002年第1期1-5,17,共6页任黎明 陈宝钦 
"九五"国家科技攻关项目(KT0 30 5 -G972 0 ;97- 76 2 - 0 3- 0 2);国家重点基础研究项目 (973计划 ) (G2 0 0 0 0 36 5 0 4 )
建立一个更为严格地描述电子散射过程的物理模型 ,运用MonteCarlo方法模拟高斯分布电子束在靶体PMMA -衬底中的散射过程 ,研究不同曝光条件对沉积能密度的影响 ,获得的沉积能分布规律是 :有利于降低邻近效应的高束能、薄胶层 。
关键词：电子束曝光 能量沉积 蒙特卡洛模拟 
Monte Carlo方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律被引量：8
《物理学报》2002年第3期512-518,共7页任黎明 陈宝钦 谭震宇 
国家"九五"科技攻关项目 (批准号 :97 76 2 0 3 0 2 );国家重点基础研究项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 36 5 0 4)资助的课题~~
建立一个描述低能电子在多元多层介质中散射的物理模型 ,运用MonteCarlo方法模拟低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射过程 ,在此基础上通过大量计算研究入射束能、胶层厚度、衬底材料等不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响 ,获得沉...
关键词：电子束曝光 MonteCarlo方法 低能电子散射 能量沉积 大规模集成电路 超大规模集成电路 
Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹被引量：8
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1519-1524,共6页任黎明 陈宝钦 
建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型 ,利用 Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟 .低能电子弹性散射采用较严格的 Mott截面描述 ,为了节约机时 ,利用查表与线性插值方法获得 Mott截面值 ;低能电子非...
关键词：电子束曝光 电子散射 蒙特卡洛法 半导体工艺 
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