电子束直写邻近效应校正技术  

作　　者：陈宝钦[1] 任黎明[2] 刘明[1] 王云翔[1] 龙世兵[1] 陆晶[1] 李泠[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心，北京100029 [2]北京大学微电子学系，北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期221-225,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程，探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径。实验结果表明：邻近效应现象是一种综合效应，可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响，使邻近效应校正达到预期的效果。

关 键 词：纳米结构图形 电子柬直写 蒙特卡罗模拟 邻近效应校正 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]