陆晶

作品数：3被引量：7H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：电子束直写电子束光刻光学微光刻技术电子束曝光系统更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术被引量：4
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期1-6,共6页陈宝钦 刘明 徐秋霞 薛丽君 李金儒 汤跃科 赵珉 刘珠明 王德强 任黎明 胡勇 龙世兵 陆晶 杨清华 张立辉 牛洁斌 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036504)和国家自然科学基金(批准号:90207004,60376020,60390071,60236010,60276019,60576032)资助项目
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑...
关键词：微光刻技术 微纳米加工技术 电子束直写 匹配与混合光刻技术 
电子束直写邻近效应校正技术被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期221-225,共5页陈宝钦 任黎明 刘明 王云翔 龙世兵 陆晶 李泠 
通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程，探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径。实验结果表明：邻近效应现象是一种综合效应，可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响，使邻近效应校正达到预期的效果。
关键词：纳米结构图形 电子柬直写 蒙特卡罗模拟 邻近效应校正 
纳米级电子束直写曝光的基础工艺被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期226-228,共3页刘明 陈宝钦 王云翔 龙世兵 陆晶 李泠 
电子束光刻技术具有极高的分辨率，其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力。本文重点对不同的抗蚀剂、电子束／光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究。
关键词：电子束光刻 混合光刻 邻近效应修正 
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