纳米级电子束直写曝光的基础工艺  

作　　者：刘明[1] 陈宝钦[1] 王云翔[1] 龙世兵[1] 陆晶[1] 李泠[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心，北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期226-228,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：电子束光刻技术具有极高的分辨率，其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力。本文重点对不同的抗蚀剂、电子束／光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究。

关 键 词：电子束光刻 混合光刻 邻近效应修正 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]