薛丽君

作品数：7被引量：10H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：电子束直写ALGAN/GAN_HEMT光学微光刻技术电子束曝光系统更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子器件》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《微细加工技术》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
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偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析
《固体电子学研究与进展》2007年第2期181-185,共5页薛丽君 刘明 王燕 禡龙 鲁净 谢常青 夏洋 
973项目(2002CB311907);自然基金重点项目(60236010)
采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,...
关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管 泊松方程 薛定谔方程 流体力学方程 二维模拟 偏栅 
边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响(英文)
《电子器件》2006年第4期996-999,1003,共5页吴峻峰 李多力 毕津顺 薛丽君 海潮和 
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管,并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘...
关键词：亚阈值泄漏电流 H型栅 PMOSFET 
AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1055-1058,共4页李诚瞻 刘键 刘新宇 薛丽君 陈晓娟 和致经 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2SW107)资助项目~~
比较有无AlN插入层AlGaN/GaNHEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaNHEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/Ga...
关键词：AlN插入层 HEMTS 电流崩塌效应 热电子 
CIF格式挖空多边形切割为PG3600格式矩形的算法被引量：2
《微细加工技术》2006年第2期5-7,20,共4页李金儒 陈宝钦 汤跃科 薛丽君 
国家重点基础研究项目资助(G2000036504;2002CB311907;2002AA325040);国家自然科学基金资助项目(60290081;60276019;90207004;60376020;60236010)
给出了一种微光刻图形CIF格式的中间挖空多边形切割成PG3600格式所需矩形的新算法。首先,用水平扫描线把有内环的多边形切割成三角形或梯形;然后,把三角形或梯形切割成矩形和直角三角形;最后,把直角三角形用矩形包围或将其直接切割成矩...
关键词：微光刻图形 数据格式转换 挖空多边形 图形切割 
Two-Dimensional Static Numerical Modeling and Simulation of AlGaN/GaN HEMT
《Journal of Semiconductors》2006年第2期298-303,共6页薛丽君 夏洋 刘明 王燕 邵雪 鲁净 马杰 谢常青 余志平 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311907,G200036504);国家自然科学基金(批准号:60236010)资助项目~~
AIGaN/GaN HEMTs are investigated by numerical simulation from the self-consistent solution of Schr6dinger-Poisson-hydrodynamic （HD） systems. The influences of polarization charge and quantum effects are considered i...
关键词：AIGaN/GaN HEMT 2D modeling and simulation polarization charges quantum effects 
光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术被引量：4
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期1-6,共6页陈宝钦 刘明 徐秋霞 薛丽君 李金儒 汤跃科 赵珉 刘珠明 王德强 任黎明 胡勇 龙世兵 陆晶 杨清华 张立辉 牛洁斌 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036504)和国家自然科学基金(批准号:90207004,60376020,60390071,60236010,60276019,60576032)资助项目
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑...
关键词：微光刻技术 微纳米加工技术 电子束直写 匹配与混合光刻技术 
AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气被引量：2
《半导体技术》2004年第7期63-65,56,共4页薛丽君 刘明 王燕 夏洋 陈宝钦 
AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生...
关键词：AIGAN/GAN 异质结 极化 二维电子气 2DEG 
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