Two-Dimensional Static Numerical Modeling and Simulation of AlGaN/GaN HEMT  

AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟(英文)

作　　者：薛丽君[1] 夏洋[1] 刘明[1] 王燕[2] 邵雪[2] 鲁净[2] 马杰[1] 谢常青[1] 余志平[2] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]清华大学微电子研究所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第2期298-303,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311907,G200036504);国家自然科学基金(批准号:60236010)资助项目~~

摘　　要：AIGaN/GaN HEMTs are investigated by numerical simulation from the self-consistent solution of Schr6dinger-Poisson-hydrodynamic （HD） systems. The influences of polarization charge and quantum effects are considered in this model. Then the two-dimensional conduction band and electron distribution, electron temperature characteristics, Id versus Vd and Id versus Vg, transfer characteristics and transconductance curves are obtained. Corresponding analysis and discussion based on the simulation results are subsequently given.考虑Al GaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对Al GaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.

关 键 词：AIGaN/GaN HEMT 2D modeling and simulation polarization charges quantum effects 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]