电子束曝光的Monte Carlo模拟  

Monte Carlo Simulation of Electron Beam Lithography

作　　者：任黎明[1] 陈宝钦[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心微光刻实验室,北京100029

出　　处：《微细加工技术》2002年第1期1-5,17,共6页Microfabrication Technology

基　　金："九五"国家科技攻关项目(KT0 30 5 -G972 0 ;97- 76 2 - 0 3- 0 2);国家重点基础研究项目 (973计划 ) (G2 0 0 0 0 36 5 0 4 )

摘　　要：建立一个更为严格地描述电子散射过程的物理模型 ,运用MonteCarlo方法模拟高斯分布电子束在靶体PMMA -衬底中的散射过程 ,研究不同曝光条件对沉积能密度的影响 ,获得的沉积能分布规律是 :有利于降低邻近效应的高束能、薄胶层 。A more rigorous physical model describing the electron scattering process is proposed. The Monte Carlo method was employed to simulate the complex scattering processes of Gauss distribution electron beam in the PMMA substrate target. The influences of different exposure conditions on energy dissipation density were investigated to obtain the regularity of energy dissipation distribution. It indicates that high beam energy and thin resist can decrease the proximity effects and thus improve the exposure resolution.

关 键 词：电子束曝光 能量沉积 蒙特卡洛模拟 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]