基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计  

X-Band Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier

作　　者：曾轩[1] 陈晓娟[1] 刘果果[1] 袁婷婷[1] 陈中子[1] 张辉[1] 王亮[1] 李诚瞻[1] 庞磊[1] 刘新宇[1] 刘键[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京100029

出　　处：《电子器件》2008年第6期1794-1796,共3页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Psat=40 dBm(10 W),最大PAE=37.44%,线性增益9 dB.An X-band internally matched AlGaN/GaN HEMTs have been developed. The power amplifier consists of four parallel 20μm× 100μm AlGaN/GaN HEMTs, RC stability networks and Wilkinson combiner/dividers. By biasing the amplifier at VDs = 30 V, IBs = 700 mA, the developed internally matched power amplifier module has exhibited 40 dBm（10 W） power output with 7. 3 dB linear gain and 37. 44% PAE at 8 GHz.

关 键 词：ALGAN/GANHEMT 内匹配 功率合成 功率放大器 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学]