采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件  

PECVD SiO_2 Layers on AlGaN/GaN Mental Oxide Semiconductor Heterostructure Field-Effect Transistor

作　　者：陈晓娟[1] 刘新宇[1] 和致经[1] 刘键[1] 邵刚[1] 魏珂[1] 吴德馨[1] 王晓亮[2] 周钧铭[3] 陈宏[3] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]中国科学院半导体所,北京100083 [3]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《电子器件》2005年第3期479-481,共3页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaNHEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS-HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaNMOS-HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。With SiO2 layers as the insulating gate, AlGaN/GaN mental oxide semiconductor heterostructure field-effect transistor are demonstrated. Based on the plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD） method, high quality SiOz enables the decrease of gate leakage current and a large gate swing voltage. With the gate length of 1μm and the width 80μm, MOS-HFET achieved transconductance 44 ms/mm and the maximum drain current 784mA/mm.

关 键 词：ALGAN GAN SIO2 MOS—HFET 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]