高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制  

Development of High Performance 1mm Gate Width AlGaN/GaN Power HEMTs

作　　者：邵刚[1] 刘新宇[1] 和致经[1] 刘键[1] 魏珂[1] 陈晓娟[1] 吴德馨[1] 王晓亮[2] 陈宏[3] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083 [3]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期88-91,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 3 );中国科学院重点创新 (批准号 :KGCX2 SW 10 7)资助项目~~

摘　　要：报道了基于蓝宝石衬底的高性能 1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件 .为了提高微波功率器件性能 ,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案 .测试表明 ,器件电流密度为 0 784A/mm ,跨导 197mS/mm ,击穿电压大于 4 0V ,截止态漏电较小 ,1mm栅宽器件的单位截止频率达到 2 0GHz,最大振荡频率为 2 8GHz ,功率增益为 11dB ,功率密度为 1 2W/mm ,PAE为 32 % 。An high performance AlGaN/GaN power heterostructure field effect transistors(HEMTs) on sapphire substrate with total gate width 1mm is reported.New ohmic contact structure and air-bridge are employed to improve microwave power performance.A saturated current density of 0.784A/mm,a peak transconductance of 197mS/mm,a break-down voltage of up to 40V and a small leakage current under cut-off state are obtained.The 1mm gate width power device also displays a unit cutoff frequency(f T) of 20GHz and a maximum oscillation frequency f max of 28GHz,and also an output power 1.2W,a power gain 11dB,a PAE 32% in 2GHz.Port impedance characteristics show the potential for the applications of microwave field.

关 键 词：ALGAN/GAN HEMT 微波功率 单位截止频率 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学]