WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性  

Characteristics of WN_x/n-GaAs Schottky Barriers

作　　者：张利春[1] 高玉芝[1] 宁宝俊 方克微 汪锁发[2] 柴淑敏[2] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所 [2]中国科学院微电子中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》1990年第7期556-560,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,经800℃快速热退火后,WN_x/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.79ev,理想因子为1.19。在自对准GaAs MESFET工艺中,WN_x是一种好的栅材料。The characterization of WN_x/n-GaAs Schottky barriers prepared by magnetron sputteringis investigated using Auger electron spectrum, Rutherford backscattering spetra, current-voltageand capacitance-voltage measurements.The results show that WN_x/n-GaAs Schottky contactannealed at 800℃ is thermally stable and maintain excellent rectifying characteristics. Thecorresponding barrier height of 0.79eV and ideality factor of 1.19 are obtained. Our studysuggests that WN_x is a good material for self-aligned GaAs MESFET process.

关 键 词：氮化钨 砷化镓 肖特基势垒 溅射 

分 类 号：TN386.3[电子电信—物理电子学]