宋海智

作品数：7被引量：25H指数：3
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：多孔硅SI氢退火发光材料更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《材料研究学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《应用科学学报》更多>>
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Si^+注入热生长SiO_2的光致发光激发谱与光电子能谱被引量：6
《Journal of Semiconductors》1997年第11期820-824,共5页宋海智 鲍希茂 
Si+注入的热生长SiO2，未退火及1000℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在470nm的蓝光带，其光致发光激发谱主要为一个位于250nm的窄峰，且谱形不依赖于退火条件，光电子能谱显示样品注入层为比较均匀的SiOx；1000℃以上退火样品的发光...
关键词：二氧化硅 硅离子 注入 PLE XPS 热生长 
硅基发光材料研究进展被引量：14
《材料研究学报》1997年第6期601-611,共11页鲍希茂 宋海智 
国家自然科学基金!5943202
硅基发光材料是光电子集成的基础材料。发光多孔硅是硅基发光材料的一个新进展，已实现了硅基光电子集成，随着多孔硅研究的深化和纳米科学的发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。与此同时，在新的理论认识与技术条件下，硅材料改性，...
关键词：发光材料 光电子学 多孔硅 低维材料 
多孔硅蓝光发射与发光机制被引量：7
《物理学报》1996年第1期121-125,共5页林军 张丽珠 陈志坚 宋海智 姚德成 段家忯 傅济时 张伯蕊 秦国刚 
国家自然科学基金
在制备出光致发光能量为２．７ｅＶ的发射蓝光多孔硅的基础上对它进行了较系统的研究：测量了它的光致发光时间分辨光谱，用傅里叶交换红外光谱分析了其表面吸附原子的局域振动模，研究了Ｙ射线辐照对其发光的影响，并与发红、黄光的多...
关键词：多孔硅 蓝光发射 发光机制 
大气中长期存放与长时间热氧化后多孔硅光致发光峰能量的会聚
《物理学报》1995年第11期1825-1830,共6页张伯蕊 张丽珠 宋海智 姚光庆 段家忯 泰国刚 
国家自然科学基金
改变阳极氧化的工艺条件,制备出光致发光峰能量位于1.4—2.0eV范围内的大量多孔硅样品,其中45块样品在大气中存放一年,102块样品在200℃下热氧化(累计达200小时).在上述两种情况下,光致发光峰能量在氧化后都会聚到1.70—1.75eV能量范围...
关键词：光致发光 多孔硅 热氧化 能量会聚 
零偏退火与反偏退火对含氢的Au／n－Si肖特基势垒的控制
《物理学报》1994年第6期1017-1023,共7页元民华 乔永平 宋海智 金泗轩 秦国刚 
〈１１１〉晶向的掺磷的ｎ型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金，制得Ａｕ／ｎ－Ｓｉ肖特基势垒。实验结果表明：氢能使Ａｕ／ｎ－Ｓｉ的肖特基势垒高度下降０．１３ｅＶ；含氢的肖特基势垒的高度可以被零...
关键词：肖特基势垒 氢 零偏退火 反偏退火 
同时形成用于浅结器件的TiN_xO_y/TiSi_2的热稳定性
《应用科学学报》1993年第3期253-257,共5页陈存礼 宋海智 华文玉 
高纯硅及硅烷国家实验室基金资助项目
用900℃15秒快速热退火使硅上钛膜在高纯NH_3中同时形成TiN_xO_y/TiSi_2双层结构.研究了TiN_xO_y作为Al的扩散势垒的有效性.结果表明,Al/TiN_xO_y/TiSi_2/Si接触系统直至550℃在N_2中烧结30分钟仍然具有良好的热稳定性.
关键词：钛硅化物 扩散势垒 热稳定性 
偏置退火对含氢Ti/n-GaAs Schottky势垒的控制作用
《中国科学（A辑）》1993年第6期617-622,共6页金泗轩 元民华 王兰萍 王海萍 宋海智 秦国刚 
国家自然科学基金;国家教委高等学校博土点资助项目
氢能使 Ti/n-GaAs Schottky势垒下降 0.18eV之多.零偏退火使含氢的Ti/n-GaAs Schottky势垒降低,而随后的反偏退火则使含氢的 Schottky势垒增加.2h以上,100℃反偏退火后其Schottky势垒高与反偏退火的偏压之间有一一对应的关系,偏压愈大,...
关键词：氢 Schottky势垒 零偏退火 砷化镓 
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