华文玉

作品数：11被引量：22H指数：2
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供职机构：南京理工大学应用物理系更多>>
发文主题：快速热退火金属-半导体接触电阻率电阻率热氧化更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《电子学报》《物理学报》《计算物理》《Journal of Semiconductors》更多>>
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用挖补圆盘法检测金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触性能被引量：7
《电子学报》1997年第8期33-36,共4页华文玉 陈存礼 
在平面型器件和备种新型微电子器件中，金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触质量宜接影响着器件的性能．本文提出一种挖补圆盘法来检测它们的欧姆接触性能．由电势叠加原理导出了理论公式．此法样品制备简单，无需台面绝缘，由于接触结...
关键词：金属 半导体 欧姆接触 微电子器件 
单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率被引量：8
《Journal of Semiconductors》1993年第12期760-767,共8页华文玉 陈存礼 
本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界...
关键词：金属-半导体 电阻率 多探针 测量 
同时形成用于浅结器件的TiN_xO_y/TiSi_2的热稳定性
《应用科学学报》1993年第3期253-257,共5页陈存礼 宋海智 华文玉 
高纯硅及硅烷国家实验室基金资助项目
用900℃15秒快速热退火使硅上钛膜在高纯NH_3中同时形成TiN_xO_y/TiSi_2双层结构.研究了TiN_xO_y作为Al的扩散势垒的有效性.结果表明,Al/TiN_xO_y/TiSi_2/Si接触系统直至550℃在N_2中烧结30分钟仍然具有良好的热稳定性.
关键词：钛硅化物 扩散势垒 热稳定性 
GaAs中过渡金属深杂质能级的计算被引量：1
《计算物理》1993年第2期227-231,共5页华文玉 陈存礼 
本文采用41个原子的原子族模型来模拟晶体,用电荷-组态自洽(SCCC)的EHMO方法和在边界上用“类Ga”和“类As”原子来饱和悬挂键,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得杂质能级在带隙中的位置与实验结...
关键词：砷化镓 过渡元素 杂质 能级 计算 
Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能
《华东工学院学报》1992年第3期10-13,共4页华文玉 
该文提出ρ和Z相耦合的试探波函数,采用变分法计算了Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能。发现随合金组分(x,y)的增加结合能增加,随阱宽b的减小,结合能单调上升。当阱宽b在10 nm附近时,材料由半导体转变为半金属。...
关键词：激子 结合能 量子 阱 Ⅱ型 
用XPS研究快速热退火形成TiSi_2的热氧化被引量：1
《Journal of Semiconductors》1991年第10期619-624,共6页陈存礼 李建年 华文玉 
用XPS结合AES、SEM、XRD分析研究了快速热退火形成的TiSi_2经100—1000℃、20—60 的热氧化行为.TiSi_2表面由SiO_2+ TiO_2组成的混合层随着氧化温度的升高或是氧化时间的延长向SiO_2层过渡.提出一个“氧化时间两个阶段”的模型解释了...
关键词：硅化物 热退火 热氧化 硅化钛 XPS 
应用于超大规模集成电路的新材料WSi_2的快速热退火形成被引量：1
《应用科学学报》1991年第3期258-262,共5页陈存礼 曹明珠 华文玉 
用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi_2的行为.在331和450cm^(-1)处有两个WSi_2的特征喇曼峰.随着快速热退火温度的升高,WSi_2的晶化不断增强.发现WSi_...
关键词：VLSI WSi2 快速热退火 喇曼散射 
共溅射W-Si薄膜的快速热退火及其热氧化研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1991年第4期224-230,共7页陈存礼 李建年 华文玉 
江苏省科学技术委员会
淀积在SiO_2上的共溅射W-Si 薄膜,在高纯N_2中经200—1100℃的10秒钟快速热退火,用转靶X射线衍射、激光喇曼光谱、俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、四探针测量等不同手段研究了钨硅化物的形成.565℃退火出现了W_5Si_3相...
关键词：W-Si薄膜 溅射 热退火 热氧化 
GaAs/G_(a1-x)Al_xAs量子阱中激子的结合能
《华东工学院学报》1990年第4期18-22,共5页华文玉 
提出ρ和(Ze—Z_h)耦合试探波函数,计算了 GaAs/Ga_(I-x)Al_xAs量子阱中基态激子的结合能随阱宽和阱深的变化关系,并对所得结果进行了讨论。
关键词：钾化镓 激子 量子阱 结合能 
钛-硅系快速热退火固相反应机制的研究被引量：1
《物理学报》1990年第7期1143-1149,共7页陈存礼 李建年 华文玉 
钛膜在10^(-7)Torr真空中用电子束蒸发沉积在硅单晶片上,以快速热退火方式进行团相反应。转靶X射线衍射分析发现,540—600℃退火后,有两个亚稳相Ti_5Si_4的衍射峰。延长退火时间,第一成核相Ti_5Si_4可持续存在到钛被消耗完,随即转变成...
关键词：钛-硅系 固相反应 退火 VLSI 薄膜 
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