用XPS研究快速热退火形成TiSi_2的热氧化  

Investigation of Thermal Oxidation of TiSi_2 from Rapid Thermal Annealing by XPS

作　　者：陈存礼[1] 李建年[2] 华文玉[3] 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京210008 [2]中国科学院中国科技大学结构分析开放研究实验室,合肥230026 [3]华东工学院应用物理系,南京210014

出　　处：《Journal of Semiconductors》1991年第10期619-624,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：用XPS结合AES、SEM、XRD分析研究了快速热退火形成的TiSi_2经100—1000℃、20—60 的热氧化行为.TiSi_2表面由SiO_2+ TiO_2组成的混合层随着氧化温度的升高或是氧化时间的延长向SiO_2层过渡.提出一个“氧化时间两个阶段”的模型解释了实验结果.Thermal oxidation behaviour of TiSi_2 rapid thermal annealed at temperatures rangingfrom 100℃ to 1000℃ for 20-60 min is investigated by XPS in conjunction with AES,SEM and XRD. When the oxidation temperature or oxidation time is increased, TiSi_2 surfacetransform from a mixed layer consisting of SiO_2 and TiO_2. into SiO_2 A model-oxidationtime can be divided into two stages-is advanced,the experiment results can be explainedsuccessfully.

关 键 词：硅化物 热退火 热氧化 硅化钛 XPS 

分 类 号：O612.4[理学—无机化学]