硅化钛

作品数:36被引量:49H指数:4
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等离子喷涂碳化钛-硅化钛涂层的组织结构与性能被引量:3
《材料研究与应用》2022年第1期136-141,共6页马玉夺 杨勇 王磊 王彦伟 邵宇轩 崔宇航 孙文韦 王星宇 
国家自然科学基金(52072110);河北省自然科学基金(E2018202034)。
研究直接喷涂和反应喷涂合成的两种碳化钛-硅化钛复合涂层的组织结构与性能.通过等离子喷涂技术将两种不同复合粉(TiC-TiSi_(2)和Ti-SiC)分别喷涂在TC4钛合金表面制备成碳化钛-硅化钛复合涂层,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、万能拉...
关键词:等离子喷涂 Ti-SiC 反应合成 碳化钛-硅化钛 复合涂层 划痕性能 
Si/Ti_xSi_y复合物的合成及其锂离子电池负极性能研究被引量:3
《分子科学学报》2017年第6期460-465,共6页张文婷 汤兑海 霍启升 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(21601128);无机合成与制备化学国家重点实验室(吉林大学)开放课题资助项目(2017-14);生物质材料科学与技术教育部重点实验室开放基金资助项目(SWZCL2016-15);沈阳师范大学校内优秀人才支持计划资助项目(054-51600210);辽宁省高校重大科技平台"能源与环境催化工程技术研究中心"资助项目;辽宁省油气资源高效转化与洁净利用重点实验室资助项目;辽宁省油气资源高效转化与洁净利用工程研究中心资助项目
通过机械球磨和高温热处理合成得到Si和Ti_xSi_y纳米颗粒复合物Si/Ti_xSi_y,并对该化合物进行X射线能谱(EDX)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)表征.合成的Si/Ti_xSi_y和机械球磨的Si/TiO_2都被用于锂离子电...
关键词:硅化钛 硅负极 锂离子电池 机械球磨 Si/TixSiy复合材料 
一种用于亚微米多晶栅TiSi电阻优化的方法
《电子与封装》2014年第1期41-43,47,共4页王敏妲 孙建洁 陈海峰 
在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上...
关键词:硅化钛 多晶栅 掩蔽层 
硅化钛场板的工艺条件与特性研究
《电子与封装》2013年第10期33-35,共3页许帅 徐政 吴晓鸫 
场板的制备工艺与特性研究对提高RF LDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种"Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属"结构的场板,分析了其工艺条件对特性的影响,并优化其工艺条件。实验表明:PESiO2加200 nm的多晶介质层...
关键词:硅化钛 场板 CV特性 稳定性 
常压化学气相沉积法制备Ti_5Si_3薄膜及其镀膜玻璃被引量:4
《硅酸盐学报》2009年第10期1694-1699,共6页黄燕飞 任招娣 沈美 杜军 魏德法 马宁 杜丕一 
国家自然科学基金(50672084)资助项目
以制备兼具阳光控制和低辐射功能的镀膜玻璃为目的,以硅烷与四氯化钛为反应前驱体,氮气为保护气体和稀释气体,通过常压化学气相沉积法模拟玻璃浮法在线镀膜工艺,在玻璃基板上成功制备了Ti5Si3薄膜,用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、...
关键词:常压化学气相沉积法 硅化钛 红外反射 透射率 电阻率 
硅化钛薄膜的制备与应用被引量:3
《电镀与涂饰》2007年第9期29-32,35,共5页徐向勤 杜军 
金属硅化物因其薄膜电阻率低,熔点高,化学性质稳定,在微电子领域具有广阔的使用前景。本文系统地阐述了硅化钛的性质、制备方法(包括自对准硅化物技术及CVD技术)及其应用。对硅化钛在集成电路中的应用进行了重点介绍。
关键词:硅化钛 薄膜 微电子 集成电路 
晶相形成对TiSi_2薄膜光学性能的影响被引量:2
《太阳能学报》2006年第12期1185-1190,共6页杜军 杜丕一 韩高荣 翁文剑 汪建勋 郝鹏 黄燕飞 
国家自然科学基金(5037205750332030);国家高技术研究发展计划(863)(2004AA32G040)
通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜,用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交刊TiSi2;薄膜的电阻率直接由晶相的形成决...
关键词:常压化学气相沉积 硅化钛 薄膜 电阻率 
SOI自对准硅化钛工艺研究被引量:1
《辽宁大学学报(自然科学版)》2005年第3期257-259,共3页石广源 王莉 宋哲 永福 张丽 王芳 
沈阳市科委科研项目(1032029-2-06)
阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SOI自对准硅化钛工艺.
关键词:SOI 硅化钛 自对准工艺 
常压化学气相沉积法在玻璃上制备TiSi2薄膜的研究被引量:1
《真空科学与技术学报》2005年第z1期68-71,共4页杜军 杜丕一 韩高荣 翁文剑 汪建勋 
国家自然科学基金(No.50372057和No.50332030)和国家高技术研究发展计划(863)(No.2004AA32G040)资助
高导电性TiSi2薄膜对低频电磁波有高反射率.在玻璃基片上成功制备TiSi2薄膜有望开发形成一种新型低辐射镀膜玻璃.本文结合工业在线和大面积生产的特点,以常压化学气相沉积法研究了TiSi2在玻璃基板上生长、制备及其与性能间的关系.研究发...
关键词:化学气相沉积 硅化钛 薄膜 
丙烯直接氧化法制环氧丙烷
《精细与专用化学品》2004年第13期35-35,共1页
关键词:丙烯 直接氧化法 环氧丙烷  硅化钛 载体  催化剂 
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